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公开(公告)号：CN103457465B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310426167.X
申请日：2013-09-17
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种具有外部可调限流功能的恒流/恒压DC-DC转换系统，该系统包括外部可调限流电路、电流误差放大电路、电压误差放大电路、振荡器、斜坡电流采样电路、PWM产生电路、逻辑驱动电路和输出电路；外部可调限流电路使得该系统具有外部可调限流功能，不仅能够精确调整系统的限流阈值，增加系统应用的灵活性，又可在系统空载时避免大电流的产生，能有效保护系统电路正常工作。本发明系统结构简单，节省芯片面积，适用于具有精确限流要求的电源芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103457465A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310426167.X
申请日：2013-09-17
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种具有外部可调限流功能的恒流/恒压DC-DC转换系统，该系统包括外部可调限流电路、电流误差放大电路、电压误差放大电路、振荡器、斜坡电流采样电路、PWM产生电路、逻辑驱动电路和输出电路；外部可调限流电路使得该系统具有外部可调限流功能，不仅能够精确调整系统的限流阈值，增加系统应用的灵活性，又可在系统空载时避免大电流的产生，能有效保护系统电路正常工作。本发明系统结构简单，节省芯片面积，适用于具有精确限流要求的电源芯片。
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公开(公告)号：CN103023318A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210434696.X
申请日：2012-11-02
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2；两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一40V高压NMOS晶体管M3、第二5V低压NMOS晶体管M4、第一理想电流源IREF1、第一电容C4和第二电容C5；功率输出支路包括第一40V高压PMOSM5、第二40V高压NMOS M6和第三电容C6。本发明的电路只需几百pF稳压电容，具有响应速度快、输出电容需求小、稳定性好等显著的优点，特别适于高压芯片电路的设计。
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公开(公告)号：CN102904565B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210380992.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 长安大学
IPC: H03K19/0185 , H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于DC-DC驱动的超低静态电流的电平移位电路，该电路主要解决电平移位过程中的静态损耗问题。该电平移位电路包括第一电源VCC，开关节点电压VX，第二电源VBOOT，逻辑输入端IN，逻辑输出端OUT，4个反相器INV1、INV2、INV3和INV4，12个晶体管M1-M12；晶体管M1、M2、M9、M10和M11均为5V的低压NMOS，晶体管M7、M8和M12均为5V的低压PMOS，晶体管M3、M4均为30V的高压NMOS，晶体管M5、M6均为30V的高压PMOS；由于采用具有自关断能力的30V高压PMOS，极大的减小了电路中的静态电流，使电路具有超低静态损耗功能。本发明电路简单，节省芯片面积，适用于具有开关型DC-DC转换器驱动等结构的电源芯片。
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公开(公告)号：CN103023318B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210434696.X
申请日：2012-11-02
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2；两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一40V高压NMOS晶体管M3、第二5V低压NMOS晶体管M4、第一理想电流源IREF1、第一电容C4和第二电容C5；功率输出支路包括第一40V高压PMOSM5、第二40V高压NMOS M6和第三电容C6。本发明的电路只需几百pF稳压电容，具有响应速度快、输出电容需求小、稳定性好等显著的优点，特别适于高压芯片电路的设计。
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公开(公告)号：CN102904565A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210380992.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 长安大学
IPC: H03K19/0185 , H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于DC-DC驱动的超低静态电流的电平移位电路，该电路主要解决电平移位过程中的静态损耗问题。该电平移位电路包括第一电源VCC，开关节点电压VX，第二电源VBOOT，逻辑输入端IN，逻辑输出端OUT，4个反相器INV1、INV2、INV3和INV4，12个晶体管M1-M12；晶体管M1、M2、M9、M10和M11均为5V的低压NMOS，晶体管M7、M8和M12均为5V的低压PMOS，晶体管M3、M4均为30V的高压NMOS，晶体管M5、M6均为30V的高压PMOS；由于采用具有自关断能力的30V高压PMOS，极大的减小了电路中的静态电流，使电路具有超低静态损耗功能。本发明电路简单，节省芯片面积，适用于具有开关型DC-DC转换器驱动等结构的电源芯片。
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