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公开(公告)号：CN105448375B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510786191.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所述衬底上部的N型SiC外延层，N型外延层上刻蚀形成多个台阶，在台阶顶部的中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，在台阶底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，所述N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的N型欧姆接触电极，所述P型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的P型欧姆接触电极；所述台阶顶部除去N型欧姆接触电极的区域设置有α放射源。
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公开(公告)号：CN105448376A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510786195.1
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。
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公开(公告)号：CN105448374A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510784821.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本发明的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。
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公开(公告)号：CN103872044A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410123316.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN111353259A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010124577.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法，考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子，内二次电子向表面运动，并发生级联散射，表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射，建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电子发射系数半经验公式，对电子射程与内二次电子能量分布函数进行优化，并考虑了斜入射和背散射修正，获得金属的二次电子发射系数半经验公式，结果表明，优化公式计算结果与实验测量结果的相对误差不超过20％，相对于以往公式相对误差至少降低了10％，验证了优化公式的可靠性和普适性，本发明相对于其他传统的实验测量方法和蒙特卡洛计算方法，能够大幅缩短计算时间，使用更加简洁、方便，并且结果精准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104502899B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410833908.0
申请日：2014-12-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明涉及一种自适应的恒虚警率目标检测方法，包括以下步骤：1)：将雷达接收到的数据传入匹配滤波器中；2)：将匹配滤波器输出的信号传入平方律检波器中进行处理；3)：最后将平方律检波器中输出的信号传入CFAR检测器进行处理，获得参考单元采样根据相应CFAR算法产生的杂波功率水平的估计值Z；4)：根据3)获得的参考单元采样根据相应CFAR算法产生的杂波功率水平的估计值Z，CFAR检测器输出最终判决，即检测单元内是否存在目标。该方法根据参考滑窗内采样值的统计均值x和方差，将方差大于一定数值的采样值删除，用剩余的有效的采样值的均值代替该采样值，重新计算采样值的均值。
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公开(公告)号：CN106158943A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610497719.X
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/74 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0684 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区，P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极，第二P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极和第一P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
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公开(公告)号：CN111215399A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010124556.7
申请日：2020-02-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，将待测样品分别在酒精和去离子水中超声清洗后采用惰性气体烘干，然后将烘干后的待测样品放置于真空室内，利用惰性气体填充真空室使真空室内气压维持至1.4×10-4-1.8×10-4Pa；利用离子枪进行离子清洗，离子能量为900-1000eV，离子枪发射电流为9-11mA，离子清洗时间为10min至30min；离子清洗完成后，关闭离子枪电源，利用惰性气体充斥至少30min，完成利用惰性离子清洗降低二次电子发射系数，本发明可最大程度去除表面污染，并还原样品原有的表面状态，从而大幅降低二次电子发射系数，本发明能够在需要降低二次电子发射的领域中，以及希望获得平滑表面及准确二次电子发射特性的应用中，应当选取适当的离子清洗强度，避免过强离子清洗。
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公开(公告)号：CN109753103A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910089433.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种用于能量收集的最大功率跟踪控制系统，包括依次连接的放大与补偿电路、开关管控制逻辑及驱动电路、开关电源变换器拓扑电路和输出电压反馈电路，还包括依次连接的最大功率跟踪控制时序产生电路、最大功率跟踪控制采样保持电路和多环路反馈复合型误差放大电路，本发明的最大功率跟踪控制系统利用最大功率跟踪控制时序产生电路产生一个周期性的窄脉冲信号，最大功率跟踪控制采样电路实现周期性采样，多环路反馈复合型误差放大电路实现多环路先复合再补偿，采用上述电路结构可以对能量收集器实现最大功率跟踪，并可应用于多种开关电源变换器拓扑结构，电路能够使能量收集器实现最大功率转换，并具有低功耗、小面积、可编程等优点。
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公开(公告)号：CN108880469A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810359475.8
申请日：2018-04-20
Applicant: 长安大学
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/10
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池参数提取的方法，包含以下步骤：1)根据基尔霍夫电流定律得到理想的单二极管太阳能电池等效电路的电流电压特性方程，建立太阳能电池单二极管模型；2)利用半导体测试仪测出太阳能电池的I～V曲线，并结合单二极管模型中I～V曲线获得参数开路电压Voc、短路电路Isc来提取未知参数并联电阻Rsh；3)通过引入临时参数Rso、no并进行多次迭代计算来确定未知参数串联电阻Rs、理想因子n；4)通过上述所求得参数值带入公式变形中求未知参数光电流Iph、反向饱和电流I0。
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