基于忆阻器的气体累积流量测量系统

    公开(公告)号:CN109000744B

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201810628288.5

    申请日:2018-06-19

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的气体累积流量测量系统,包括气体流速换能器、忆阻器模块、忆阻器电压取值放大模块和换能器阻值稳定模块;气体流速换能器依次与忆阻器模块、换能器阻值稳定模块组成回路,忆阻器电压取值放大模块与忆阻器模块相连接;忆阻器模块包括正向忆阻器组和负向忆阻器组,正向忆阻器组和负向忆阻器组串联连接,正向忆阻器组Mf包括n个忆阻器Mf1,n个忆阻器Mf1串联连接,负向忆阻器组Mr包括n个忆阻器Mr1,n个忆阻器Mr1串联连接,n为大于等于1的自然数。本发明不需要后期的运算电路或者处理器,实现了对气体累积流量的测量,适用于大气体累积流量、气体不稳定情况下长时间的持续测量,功耗低,测量范围大,结构简单。

    一种忆阻器型全域值BP神经网络电路

    公开(公告)号:CN110298435A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910460414.5

    申请日:2019-05-30

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种忆阻器型全域值BP神经网络电路,包括隐含层权值阵列模块、隐含层累加器阵列模块、对数S型传递函数模块、输出层权值阵列模块、输出层累加器阵列模块和线性传递函数模块;其中,隐含层权值阵列模块和输出层权值阵列模块为核心模块,不仅实现输入信号与权值相乘的功能,而且实现了全范围的权值调节;外界信号依次通过隐含层权值阵列模块、隐含层累加器阵列模块、对数S型传递函数模块、输出层权值阵列模块、输出层累加器阵列模块和线性传递函数模块,最终得到BP神经网络的输出。本发明实现了完整的BP神经网络硬件模型,解决了传统BP神经网络电路不能有效储存权值以及全范围的调节权值的问题。

    一种硅基集成曝光量测量器件

    公开(公告)号:CN107678247A

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201710743725.3

    申请日:2017-08-25

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件,包括半导体衬底,半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层;金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块;导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块;保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极,所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层,其中第二金属电极与光敏材料相接触,第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用,具有应用范围广和使用方便的优点。

    正偶数多边形Rayleigh波产生器件

    公开(公告)号:CN103178803B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310044829.7

    申请日:2013-02-05

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种正偶数多边形Rayleigh波产生器件,包括在同一压电基片材料上制作的n个叉指换能器,n为大于等于4的偶数;所述的n个叉指换能器按照正n边形设置在所述压电基片材料上,各相邻的叉指换能器之间有间距且间距相等。其通过在同一压电基片材料上制作一组按照正偶数多边形设置的Rayleigh波叉指换能器,实现多角度Rayleigh波的激发,进而满足具有对Rayleigh波激发角度、强度等特性具有不同需求的功能性器件的需求。

    GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法

    公开(公告)号:CN103872044A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410123316.X

    申请日:2014-03-28

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,负载电阻表面保留SiN,电阻沟道中存在高浓度二维电子气,呈现出电阻特性,将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。

    一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路

    公开(公告)号:CN103023318A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210434696.X

    申请日:2012-11-02

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路,包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路;高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2;两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一40V高压NMOS晶体管M3、第二5V低压NMOS晶体管M4、第一理想电流源IREF1、第一电容C4和第二电容C5;功率输出支路包括第一40V高压PMOSM5、第二40V高压NMOS M6和第三电容C6。本发明的电路只需几百pF稳压电容,具有响应速度快、输出电容需求小、稳定性好等显著的优点,特别适于高压芯片电路的设计。

    LOVE波型超微量物质质量的测量装置

    公开(公告)号:CN102749130A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210222513.8

    申请日:2012-06-29

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种LOVE波型微量物质质量的测量装置,包括在同一压电基片材料上制作的一个输入叉指换能器、两个相同的输出叉指换能器、输入叉指换能器的第一电极、输入叉指换能器的第二电极、输出叉指换能器的第一电极、输出叉指换能器的第二电极,以及覆盖在输入叉指换能器、输出叉指换能器和压电基片上的LOVE波波导层;输入叉指换能器的第一电极、输入叉指换能器的第二电极、输出叉指换能器的第一电极和输出叉指换能器的第二电极的末端均从LOVE波波导层中伸出;两个输出叉指换能器分别对称设置在输入叉指换能器的左、右两侧,输入叉指换能器与输出叉指换能器之间的区域为测量区域。本发明结构简单,能够实现对毫克以及毫克以下物质质量的测量。

    基于SOPC的小波神经网络处理器

    公开(公告)号:CN101882238A

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN201010227358.X

    申请日:2010-07-15

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于sopc的小波神经网络处理器,由前向传播模块,误差反馈模块和网络更新模块构成;前向传播模块的输出端连接到误差反馈模块,误差反馈模块的输出端连接到网络更新模块,网络更新模块的输出端连接到前向传播模块;前向传播模块包括前向传播输入层功能模块,前向传播隐含层功能模块,前向传播输出层功能模块;误差反馈模块包括误差反馈输出层功能模块和误差反馈隐含层功能模块;网络更新模块包括网络更新输出层功能模块,网络更新隐含层功能模块。本发明在SOPC上实现小波神经网络,将小波神经网络算法划分为几种基本运算,这些基本运算由可重构单元RC完成,通过采用不同的RC连接方式能够构成功能不同的小波神经网络。

    一种基于忆阻器的火焰强度检测系统及检测方法

    公开(公告)号:CN115165118A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210646819.X

    申请日:2022-06-08

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的火焰强度检测系统,包括电压转换模块、红外传感器模块、忆阻器模块和忆阻器电压取值放大模块;所述电压转换模块依次与红外传感器模块和忆阻器模块组成回路,所述忆阻器电压取值模块与忆阻器模块相连接;所述忆阻器模块包括由n个正向忆阻器组成的正向忆阻器组和由n个反向忆阻器组成的反向忆阻器组,其中,正向忆阻器与反向忆阻器串联连接构成一组反向串联忆阻器,共得到n组反向串联忆阻器,且该n组反向串联忆阻器并联构成并联结构。本发明不需要后期的运算电路或者处理器,实现了对火焰强度大小的测量,适用于火焰燃烧强度大且不稳定情况下长时间的持续测量,功耗低,测量范围大,结构简单。

    一种硅基集成曝光量测量器件

    公开(公告)号:CN107678247B

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN201710743725.3

    申请日:2017-08-25

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件,包括半导体衬底,半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层;金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块;导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块;保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极,所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层,其中第二金属电极与光敏材料相接触,第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用,具有应用范围广和使用方便的优点。

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