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公开(公告)号:CN103567578A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310340556.0
申请日:2013-08-07
Applicant: 通用电气公司
IPC: B23H1/00
CPC classification number: B23H1/08 , B23H1/04 , B23H9/10 , B23H9/14 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明涉及放电加工工艺、用于放电加工的物件及放电冷却剂,具体而言,公开了一种放电加工工艺、一种用于放电加工的物件和一种导电的放电加工冷却剂,该放电加工工艺包括放电加工部件的目标区域。该物件包括不导电层、导电层和在不导电层上的目标区域,该导电的放电加工冷却剂包括碳氢化合物液体和悬浮在碳氢化合物液体内的碳粉。
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公开(公告)号:CN104139175B
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201410192877.5
申请日:2014-05-08
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C30B11/00 , B22C7/02 , B22C9/065 , B22C13/08 , B22C13/085 , B22D15/04 , B22D27/04 , C30B11/006 , C30B11/14 , C30B29/52 , C30B35/00
Abstract: 用于BRIDGMAN熔模铸造过程中的晶粒启动机的复合材料几何设计。本发明提供了一种用于熔融金属材料的凝固以形成具有定向晶粒结构的制品的晶粒启动机,以及一种用于凝固具有定向晶粒结构的制品而基本上不存在杂散晶粒的方法。所述晶粒启动机包括晶粒起始材料,所述晶粒起始材料引发熔融金属材料中在预选结晶学方向上的晶粒生长。所述晶粒起始材料具有比形成所述制品的金属材料更高的熔融温度,以免通过与熔融材料接触而改变所述晶粒启动机。所述晶粒启动机还包括下述特征,所述特征改变与其接触的金属材料的热传递特性以制备具有在预选结晶学取向上取向的晶粒的制品,并改变前进的凝固前沿的轮廓。所述制品基本上不含未在预选结晶学方向上取向的杂散晶粒。
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公开(公告)号:CN104923956A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201510050691.0
申请日:2015-01-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: B23K35/30
CPC classification number: B23K35/34 , B23K9/23 , B23K35/304 , C22C19/055 , C22F1/10 , Y10T428/12944
Abstract: 本发明公开一种用于修复镍基超合金物品中的瑕疵的焊接修复。所述焊接修复提供焊成件,所述焊成件包括焊缝、邻近所述焊缝的热影响区以及邻近所述热影响区并且与所述焊缝相对的镍基合金基材。所述焊缝利用镍基焊接填料材料,所述镍基焊接填料材料具有以下组成,按重量百分比计:0.03%至0.13%C、22.0%至23.0%Cr、18.5%至19.5%Co、1.8%至2.2%W、0.7%至1.4%Nb、2.2%至2.4%Ti、1.3%至2.0%Al、0.005%至0.040%Zr、0.002%至0.008%B、不高于0.15%Mo、不高于0.35%Fe、不高于0.10%Mn、不高于0.10%Cu、不高于0.10%V、不高于0.15%Hf、不高于0.25%Si以及余量Ni和附带杂质。所述焊接填料材料的特征在于不存在Ta。
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公开(公告)号:CN104139175A
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201410192877.5
申请日:2014-05-08
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C30B11/00 , B22C7/02 , B22C9/065 , B22C13/08 , B22C13/085 , B22D15/04 , B22D27/04 , C30B11/006 , C30B11/14 , C30B29/52 , C30B35/00
Abstract: 用于BRIDGMAN熔模铸造过程中的晶粒启动机的复合材料几何设计。本发明提供了一种用于熔融金属材料的凝固以形成具有定向晶粒结构的制品的晶粒启动机,以及一种用于凝固具有定向晶粒结构的制品而基本上不存在杂散晶粒的方法。所述晶粒启动机包括晶粒起始材料,所述晶粒起始材料引发熔融金属材料中在预选结晶学方向上的晶粒生长。所述晶粒起始材料具有比形成所述制品的金属材料更高的熔融温度,以免通过与熔融材料接触而改变所述晶粒启动机。所述晶粒启动机还包括下述特征,所述特征改变与其接触的金属材料的热传递特性以制备具有在预选结晶学取向上取向的晶粒的制品,并改变前进的凝固前沿的轮廓。所述制品基本上不含未在预选结晶学方向上取向的杂散晶粒。
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