公开(公告)号：CN114411194A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210065480.4

申请日：2022-01-20

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 李硕 ,  李亚会 ,  吴云 ,  宋溪明

IPC: C25B11/087 ,  C25B11/077 ,  C25B11/052 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明公开一种基于LSV光电化学法在BiVO4电极表面产生氧空位的表面态钝化方法及其应用。在模拟太阳光条件下，以BiVO4电极作为工作电极，铂丝作为对电极，饱和Ag/AgCl为参比电极组成三电极体系，将三电极体系置于电解质溶液中，通过电化学工作站对BiVO4电极在电压范围为‑0.6～0.8V vs.Ag/AgCl下进行连续的线性扫描伏安处理，直到光电流密度达到最大值，得到表面产生氧空位的BiVO4电极L‑BVO。经过本发明处理过程使裸BiVO4电极表面的氧空位密度明显增加，而形成表面氧空位可以显著钝化表面电子俘获态，减少费米能级钉扎效应的影响，并且增强电极的电导率。

公开(公告)号：CN114544529B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202210165701.5

申请日：2022-02-23

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 李硕 ,  吴云 ,  李亚会 ,  张宇 ,  宋溪明

IPC: G01N21/31 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明公布了一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法。计算过程包括如下步骤：首先通过紫外‑可见分光光度计对半导体电极进行紫外‑可见吸收光谱和反射光谱的测试，然后利用反射光谱对测得的吸收值进行修正。接下来通过对吸收值进行Min‑Max标准化处理使其更符合实际，最后利用吸收系数与吸收值的关系推导出纯半导体薄膜的吸收系数。本发明主要通过紫外‑可见吸收光谱、反射光谱优化计算纯半导体薄膜的吸收系数，提出了一种计算纯半导体薄膜吸收系数的方法，该种方法可以应用到任何半导体薄膜电极，为准确计算半导体薄膜的吸收系数提供了依据。

公开(公告)号：CN114544529A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210165701.5

申请日：2022-02-23

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 李硕 ,  吴云 ,  李亚会 ,  张宇 ,  宋溪明

IPC: G01N21/31 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明公布了一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法。计算过程包括如下步骤：首先通过紫外‑可见分光光度计对半导体电极进行紫外‑可见吸收光谱和反射光谱的测试，然后利用反射光谱对测得的吸收值进行修正。接下来通过对吸收值进行Min‑Max标准化处理使其更符合实际，最后利用吸收系数与吸收值的关系推导出纯半导体薄膜的吸收系数。本发明主要通过紫外‑可见吸收光谱、反射光谱优化计算纯半导体薄膜的吸收系数，提出了一种计算纯半导体薄膜吸收系数的方法，该种方法可以应用到任何半导体薄膜电极，为准确计算半导体薄膜的吸收系数提供了依据。