-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109966914A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910218611.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低温等离子体的甲醛过滤处理装置及其操作方法，包括：气流循环装置和反应腔；反应腔为双通道螺旋结构，包括：绝缘外壳、管状上电极、阻挡介质层、丝状地电极和分子筛。本发明通过气流循环装置将待处理气体吸入反应腔的内通道；通过管状上电极、阻挡介质层和丝状地电极产生等离子，通过分子筛上承载的催化剂对气体中的甲醛进行处理；通过余热作用在外通道内进行气体的二次处理；通过改性活性炭对气体进行再一次的吸附处理，完成甲醛处理操作。本发明的甲醛过滤处理装置，反应腔中采用螺旋式通道和分子筛，能够增加甲醛与分子筛和催化剂的接触面积和接触时长，从而可提高甲醛的处理效率和处理效果。
-
公开(公告)号：CN109966914B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910218611.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低温等离子体的甲醛过滤处理装置及其操作方法，包括：气流循环装置和反应腔；反应腔为双通道螺旋结构，包括：绝缘外壳、管状上电极、阻挡介质层、丝状地电极和分子筛。本发明通过气流循环装置将待处理气体吸入反应腔的内通道；通过管状上电极、阻挡介质层和丝状地电极产生等离子，通过分子筛上承载的催化剂对气体中的甲醛进行处理；通过余热作用在外通道内进行气体的二次处理；通过改性活性炭对气体进行再一次的吸附处理，完成甲醛处理操作。本发明的甲醛过滤处理装置，反应腔中采用螺旋式通道和分子筛，能够增加甲醛与分子筛和催化剂的接触面积和接触时长，从而可提高甲醛的处理效率和处理效果。
-
公开(公告)号：CN111735718A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010699173.2
申请日：2020-07-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多工位集成环境玻璃钢弯曲蠕变试验装置及试验方法，包括杠杆加载装置、控温装置和数据采集装置；杠杆加载装置包括支柱和横梁，支柱顶部设置有横梁，横梁上设置有竖直的压杆，压杆的底端设置有用于对试件进行加压的压头，横梁一端设置有平衡砝码，横梁另一端设置有加载砝码；控温装置用于实现对试样温度的调节；数据采集装置用于采集试样在受力条件下的蠕变参数。本装置结构简单，试验载荷、温度及介质环境可控，可最大程度模拟特定服役环境，通过采用多杠杆加载装置即可支持大批量试验同时进行，可有效降低时间和经济成本，为玻璃钢等树脂基复合材料材料的服役性能衰减研究、服役安全评价和寿命预测提供有效的试验途径。
-
公开(公告)号：CN102756514B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210249221.3
申请日：2012-07-18
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种超厚超硬涂层及其制备方法，包括沉积于基体表面的Ti底层、制备于Ti底层上的TiN过渡层以及制备于TiN过渡层上的TiAlSiCN涂层，该超厚超硬涂层的厚度≥20微米，制备时以柱型电弧Ti靶作为Ti源，以平面磁控溅射Si靶、Al靶和C靶作为相应的Si、Al和C的来源，采用Ar作为离化气体，采用N2作为反应气体，本发明显著的提高了基体对TiAlSiCN涂层的结合力，使制备于基体上的TiAlSiCN涂层的厚度显著提高；本发明在TiN涂层中加入Si、C、Al元素，形成五元成分的TiAlSiCN涂层材料，使涂层材料的硬度、耐磨性、减摩性、抗高温氧化以及抗腐蚀性能进一步提高。
-
公开(公告)号：CN102756514A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210249221.3
申请日：2012-07-18
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种超厚超硬涂层及其制备方法，包括沉积于基体表面的Ti底层、制备于Ti底层上的TiN过渡层以及制备于TiN过渡层上的TiAlSiCN涂层，该超厚超硬涂层的厚度≥20微米，制备时以柱型电弧Ti靶作为Ti源，以平面磁控溅射Si靶、Al靶和C靶作为相应的Si、Al和C的来源，采用Ar作为离化气体，采用N2作为反应气体，本发明显著的提高了基体对TiAlSiCN涂层的结合力，使制备于基体上的TiAlSiCN涂层的厚度显著提高；本发明在TiN涂层中加入Si、C、Al元素，形成五元成分的TiAlSiCN涂层材料，使涂层材料的硬度、耐磨性、减摩性、抗高温氧化以及抗腐蚀性能进一步提高。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.03 seconds)
