公开(公告)号：CN102419403B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201110285509.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.加斯廷格 ,  W.格拉尼希 ,  D.哈默施密特 ,  M.莫茨 ,  F.拉斯博尼希 ,  B.沙弗

IPC: G01R31/00

CPC classification number: B60T8/885 ,  B60T2250/06 ,  B60T2270/406 ,  B60T2270/411 ,  B60T2270/413 ,  G01D3/08 ,  G01R31/007 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/2829 ,  G01R31/2856 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/3187 ,  H01L2224/13144

Abstract: 本发明涉及使用多个信号路径的传感器自诊断。实施例涉及用于使用多个信号路径的传感器自诊断的系统和方法。在一个实施例中，传感器是磁场传感器，并且系统和/或方法被配置成满足或者超过相关安全或者其它工业标准，比如SIL标准。例如，在单个半导体芯片上实施的单片集成电路传感器系统可以包括：在半导体芯片上的第一传感器器件，具有用于第一传感器信号的第一信号路径；以及在半导体芯片上的第二传感器器件，具有用于第二传感器信号的第二信号路径，第二信号路径不同于第一信号路径，其中第一信号路径的信号与第二信号路径的信号的比较提供传感器系统自测试。

公开(公告)号：CN102419403A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110285509.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.加斯廷格 ,  W.格拉尼希 ,  D.哈默施密特 ,  M.莫茨 ,  F.拉斯博尼希 ,  B.沙弗

IPC: G01R31/00

CPC classification number: B60T8/885 ,  B60T2250/06 ,  B60T2270/406 ,  B60T2270/411 ,  B60T2270/413 ,  G01D3/08 ,  G01R31/007 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/2829 ,  G01R31/2856 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/3187 ,  H01L2224/13144

Abstract: 本发明涉及使用多个信号路径的传感器自诊断。实施例涉及用于使用多个信号路径的传感器自诊断的系统和方法。在一个实施例中，传感器是磁场传感器，并且系统和/或方法被配置成满足或者超过相关安全或者其它工业标准，比如SIL标准。例如，在单个半导体芯片上实施的单片集成电路传感器系统可以包括：在半导体芯片上的第一传感器器件，具有用于第一传感器信号的第一信号路径；以及在半导体芯片上的第二传感器器件，具有用于第二传感器信号的第二信号路径，第二信号路径不同于第一信号路径，其中第一信号路径的信号与第二信号路径的信号的比较提供传感器系统自测试。

公开(公告)号：CN107305235A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710257680.9

申请日：2017-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.加斯廷格 ,  W.格拉尼希 ,  D.哈默施密特 ,  M.莫茨 ,  F.拉斯博尼希 ,  B.沙费尔

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G01R31/2851 ,  G01R31/007

Abstract: 本发明涉及使用多个信号路径的传感器自诊断。实施例涉及用于使用多个信号路径进行传感器自诊断的系统和方法。在实施例中，传感器是磁场传感器，并且系统和/或方法配置成满足或超过相关安全或其它工业标准，诸如SIL标准。例如，在单个半导体芯片上实现的单片式集成电路传感器系统可以包括：第一传感器设备，具有半导体芯片上针对第一传感器信号的第一信号路径；以及第二传感器设备，具有半导体芯片上针对第二传感器信号的第二信号路径，第二信号路径与第一信号路径不同，其中第一信号路径信号和第二信号路径信号的比较提供传感器系统自测试。