真空烧结制备碳化硅纳米线的方法

    公开(公告)号:CN106219549A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610608157.1

    申请日:2016-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种真空烧结制备碳化硅纳米线的方法,包括以下步骤:步骤(1):先将Si和SiO2混合,得到硅类混合物,然后将硅类混合物与石墨烯混合,得到混合原料;步骤(2):将混合原料放入到高温真空烧结炉中,先将高温真空烧结炉内部抽真空,然后对高温真空烧结炉中充入氩气,再将高温真空烧结炉内部抽真空,将抽真空、充氩气、再抽真空这个过程重复至少1次;步骤(3):对高温真空烧结炉中真空状态下的混合原料进行烧结,先在2.5小时内从室温加热至1400-1500度,然后保温2小时,最后在2.5小时内降温至室温,得到真空烧结制备的碳化硅纳米线。该方法制备效率高,制备出的碳化硅纳米线的线形较好。

    激光冲击氧化石墨烯涂层的表面强化方法

    公开(公告)号:CN106222650A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610607738.3

    申请日:2016-07-29

    CPC classification number: C23C24/08 C23C24/082

    Abstract: 本发明公开了一种激光冲击氧化石墨烯涂层的表面强化方法,包括以下步骤:将石墨烯、氧化石墨烯或两者的混合物溶液涂抹到需要强化的材料基体表面,形成涂层;在涂层上设置铝箔作为吸收层;在吸收层上设置光学玻璃或硅胶作为约束层;用脉冲激光对吸收层进行激光冲击扫描,激光穿过约束层照射到吸收层上,吸收层吸收激光能量迅速气化同时形成大量的高温高压等离子体,等离子体快速膨胀形成高强度的冲击波,冲击波作用于涂层,部分涂层被冲击波压入到材料基体表层,部分涂层紧密作用并贴合到材料基体表层;将激光冲击后的材料基体自然冷却到室温,去除材料基体上的残留物,得到表面强化好的材料基体。

    激光加工中心
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105414769A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510822330.3

    申请日:2015-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种激光加工中心,包括控制系统、激光器、光路系统、加工机床、聚光系统、激光刀头、气源和废料接收装置,所述激光刀头活动安装在所述加工机床上,所述光路系统连接在所述激光器和所述激光刀头之间,所述激光刀头中设有保护气喷咀,所述保护气喷咀与所述气源连通,所述聚光系统位于所述光路系统与所述激光刀头之间,所述废料接收装置位于所述激光刀头的下方,所述激光器和加工机床均与所述控制系统通信连接。该激光加工中心工作效率高,加工精度高,并且节能环保。

    激光加工中心
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205309578U

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201520944047.3

    申请日:2015-11-24

    Abstract: 本实用新型公开了一种激光加工中心,包括控制系统、激光器、光路系统、加工机床、聚光系统、激光刀头、气源和废料接收装置,所述激光刀头活动安装在所述加工机床上,所述光路系统连接在所述激光器和所述激光刀头之间,所述激光刀头中设有保护气喷咀,所述保护气喷咀与所述气源连通,所述聚光系统位于所述光路系统与所述激光刀头之间,所述废料接收装置位于所述激光刀头的下方,所述激光器和加工机床均与所述控制系统通信连接。该激光加工中心工作效率高,加工精度高,并且节能环保。

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