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公开(公告)号：CN118702108A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410693211.1
申请日：2024-05-31
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅空心纳米线阵列及其制备方法与应用，其制备方法包括如下步骤：将导电玻璃倾斜放置于六水合硝酸钴、氟化铵和尿素的混合溶液中，在导电玻璃上反应生长钴纳米锥阵列；将生长有钴纳米锥阵列的导电玻璃置于正硅酸乙酯溶液中反应，在钴纳米锥表面包覆二氧化硅；将包覆后的导电玻璃置于酸性溶液中刻蚀钴纳米锥，得到二氧化硅空心纳米线阵列。本发明采用水热法在导电玻璃基地上生长钴纳米锥阵列，然后在钴纳米锥阵列表面包覆一层二氧化硅，最后通过酸将钴纳米锥刻蚀，获得二氧化硅空心纳米线阵列，制备方法简单、成本低、效率高，空心纳米线阵列形貌均一，且具有良好的纵横比。
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