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公开(公告)号：CN119800493A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510300974.X
申请日：2025-03-14
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 , 江苏科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚包括坩埚本体、长晶罩和备料仓。长晶罩罩设于坩埚本体上，长晶罩的内顶面设置有长晶台，长晶罩设置有翼板，翼板活动设置于备料仓和坩埚本体之间，备料仓的底部开设有出料口，翼板开设有过料口，出料口与过料口错位设置，长晶罩用于带动翼板运动至预设位置，以使过料口与出料口连通。与现有技术相比，本发明提供的大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚由于采用了开设于翼板上的过料口以及开设于备料仓底部的出料口，所以能够在碳化硅单晶生长过程中进行补料，以增大碳化硅多晶粉料的升华量，实现大尺寸碳化硅单晶生长，满足客户需求。
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公开(公告)号：CN118668292B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411118587.6
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种上吊装式坩埚设备及使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该上吊装式坩埚设备包括坩埚本体、坩埚轴、连接套以及活动套，坩埚轴设置于坩埚本体的上方，连接套可活动地设置于坩埚本体的顶部，并与坩埚轴连接，连接套设有散热孔，连接套和坩埚本体之间形成空腔，散热孔和空腔连通，活动套和连接套可活动地连接，活动套设有活动孔；其中，活动套用于相对于连接套活动，以调整活动孔与散热孔的重叠区域的大小。从而调整散热区域的大小，实现对坩埚本体的散热能力的调节，从而精准控制坩埚内的温度，尤其是可针对籽晶中心及边缘的温度差进行有效调节，改善籽晶径向温度梯度，确保晶体生长的稳定性，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118652135B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411132799.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件。制备装置，包括：坩埚部，其具有中空结构，中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁；石墨部件，其与坩埚部同轴设置，其位于坩埚部的上方，其下端与坩埚壁的上端密封固定连接；导流件，其包括柱形段，柱形段位于石墨部件的内部，柱形段与石墨部件同轴设置，柱形段的外壁与石墨部件的内表面留有间隔，其位于五氧化二钽容纳部的上方，前述间隔与五氧化二钽容纳部相连通。本发明的方法能显著降低碳化钽膜层的制备成本，提高碳化钽膜层的致密性，延长石墨部件的使用寿命，减少晶体内部的包裹体数量，显著提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118272918B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410711756.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长炉技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法，包括炉体和设置在炉体内的坩埚、坩埚盖，坩埚盖内开设容纳腔，所述碳化硅晶体生长炉还包括设置在容纳腔内的自动调温装置：容器、环形金属和支撑件，所述环形金属设置在容器内，所述环形金属通过支撑件固定在容器内，且环形金属沿容纳腔厚度方向延伸设置，环形金属的顶部和底部与容器之间均留有间距而形成导流空隙，所述容器内装填常温下为固体且熔点小于炉体内工作温度的热媒。本发明能有效控制籽晶粘接区域的坩埚盖的径向温度梯度，让晶体中央部位的温度和边缘部位的温度更均匀，提高晶体材料利用率，显著降低晶体内部应力，内部的位错密度明显降低。
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公开(公告)号：CN118639320A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411118588.0
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种具有可调节充气机构的碳化硅单晶生长装置，其包括充气机构，充气机构包括管道组件、分流仓和调节盘；管道组件和分流仓连接，管道组件用于向分流仓输送工艺气体；分流仓设置于加热炉的加热腔内，分流仓间隔地设置于加热炉内的坩埚盖的上方；分流仓的底壁设置有第一出气孔，调节盘与分流仓可活动地连接，调节盘设置有第二出气孔，当调节盘相对于分流仓活动时，能调节第一出气孔和第二出气孔的重合度，从而调节工艺气体从分流仓的底壁输送至加热腔内的流量。该碳化硅单晶生长装置不仅能调控轴向温梯和生长面的温度均匀性，提高生长的碳化硅单晶质量，还能改善生长装置成本增加、结构复杂化的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118621433A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411118589.5
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种坩埚设备及使用方法，涉人工晶体生长领域。该坩埚设备包括坩埚本体、保温件、保温罩以及升降装置，保温件覆盖于坩埚本体的外部，其中，保温件设有散热孔，保温罩可活动地设置于保温件的外部，保温罩设有通孔，通孔和散热孔配合，用于共同形成散热通道，升降装置和保温罩连接，升降装置用于带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域和距离，进而调整散热通道。在加热过程中为了保证坩埚本体内部的温度梯度，升降装置能够带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域，实现调整散热通道大小的目的，从而精准控制坩埚内的温度，提高散热效果，确保晶体生长的稳定性。
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公开(公告)号：CN118272918A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410711756.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长炉技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法，包括炉体和设置在炉体内的坩埚、坩埚盖，坩埚盖内开设容纳腔，所述碳化硅晶体生长炉还包括设置在容纳腔内的自动调温装置：容器、环形金属和支撑件，所述环形金属设置在容器内，所述环形金属通过支撑件固定在容器内，且环形金属沿容纳腔厚度方向延伸设置，环形金属的顶部和底部与容器之间均留有间距而形成导流空隙，所述容器内装填常温下为固体且熔点小于炉体内工作温度的热媒。本发明能有效控制籽晶粘接区域的坩埚盖的径向温度梯度，让晶体中央部位的温度和边缘部位的温度更均匀，提高晶体材料利用率，显著降低晶体内部应力，内部的位错密度明显降低。
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公开(公告)号：CN119843356A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510315479.6
申请日：2025-03-18
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 , 江苏科技大学
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉及生长方法。生长炉包括：从底部进入坩埚的原料气力输送管道；第一导流板，其盖于并密封输送管道的上端，其边缘延伸至输送管道外且与坩埚内壁之间留有间隙，输送管道的出口在第一导流板的下方；第二导流板，其一端固定于坩埚内壁，其另一端曲折的靠近第一导流板的边缘且悬空设置；倾斜导流板，其一端固定于输送管道的外壁，其另一端悬空设置；折流板，其一端固定于坩埚内壁或输送管道外壁，其另一端悬空设置，倾斜导流板引导从出口流出的部分物流向下流动流向折流板；导流板和折流板为石墨材质。通过持续向坩埚中输送原料，生长大尺寸晶体。
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公开(公告)号：CN118652135A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411132799.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件。制备装置，包括：坩埚部，其具有中空结构，中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁；石墨部件，其与坩埚部同轴设置，其位于坩埚部的上方，其下端与坩埚壁的上端密封固定连接；导流件，其包括柱形段，柱形段位于石墨部件的内部，柱形段与石墨部件同轴设置，柱形段的外壁与石墨部件的内表面留有间隔，其位于五氧化二钽容纳部的上方，前述间隔与五氧化二钽容纳部相连通。本发明的方法能显著降低碳化钽膜层的制备成本，提高碳化钽膜层的致密性，延长石墨部件的使用寿命，减少晶体内部的包裹体数量，显著提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118028969B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410431329.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于生长碳化硅单晶技术领域，具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置和方法，包括设置在坩埚盖外表面的排气组件，排气组件包括：支撑架，其安装在靠近排气通道的部分坩埚盖的上表面，且其中部设置导向孔；支撑架为罩状且覆盖在排气通道的上方外围；升降杆，其由支撑架的内部沿导向孔向外穿出而继续向上延伸，升降杆的延伸端套设有第一砝码；第一球体，其上部固定在升降杆的底部，其下部与排气通道的上部相抵。本发明能最大化排出坩埚内残余气体，提升密封效果，防止由于升降机构高温形变以及粉尘粘结等进而导致倾斜被卡的现象发生，耐久性好，保证碳化硅单晶优质稳定生长，使用寿命长，并能够灵活适应不同规格的大尺寸碳化硅单晶的生长。
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