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公开(公告)号：CN118668292B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411118587.6
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种上吊装式坩埚设备及使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该上吊装式坩埚设备包括坩埚本体、坩埚轴、连接套以及活动套，坩埚轴设置于坩埚本体的上方，连接套可活动地设置于坩埚本体的顶部，并与坩埚轴连接，连接套设有散热孔，连接套和坩埚本体之间形成空腔，散热孔和空腔连通，活动套和连接套可活动地连接，活动套设有活动孔；其中，活动套用于相对于连接套活动，以调整活动孔与散热孔的重叠区域的大小。从而调整散热区域的大小，实现对坩埚本体的散热能力的调节，从而精准控制坩埚内的温度，尤其是可针对籽晶中心及边缘的温度差进行有效调节，改善籽晶径向温度梯度，确保晶体生长的稳定性，提高晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118652135B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411132799.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件。制备装置，包括：坩埚部，其具有中空结构，中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁；石墨部件，其与坩埚部同轴设置，其位于坩埚部的上方，其下端与坩埚壁的上端密封固定连接；导流件，其包括柱形段，柱形段位于石墨部件的内部，柱形段与石墨部件同轴设置，柱形段的外壁与石墨部件的内表面留有间隔，其位于五氧化二钽容纳部的上方，前述间隔与五氧化二钽容纳部相连通。本发明的方法能显著降低碳化钽膜层的制备成本，提高碳化钽膜层的致密性，延长石墨部件的使用寿命，减少晶体内部的包裹体数量，显著提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118668292A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411118587.6
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种上吊装式坩埚设备及使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该上吊装式坩埚设备包括坩埚本体、坩埚轴、连接套以及活动套，坩埚轴设置于坩埚本体的上方，连接套可活动地设置于坩埚本体的顶部，并与坩埚轴连接，连接套设有散热孔，连接套和坩埚本体之间形成空腔，散热孔和空腔连通，活动套和连接套可活动地连接，活动套设有活动孔；其中，活动套用于相对于连接套活动，以调整活动孔与散热孔的重叠区域的大小。从而调整散热区域的大小，实现对坩埚本体的散热能力的调节，从而精准控制坩埚内的温度，尤其是可针对籽晶中心及边缘的温度差进行有效调节，改善籽晶径向温度梯度，确保晶体生长的稳定性，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118028969A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410431329.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于生长碳化硅单晶技术领域，具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置和方法，包括设置在坩埚盖外表面的排气组件，排气组件包括：支撑架，其安装在靠近排气通道的部分坩埚盖的上表面，且其中部设置导向孔；支撑架为罩状且覆盖在排气通道的上方外围；升降杆，其由支撑架的内部沿导向孔向外穿出而继续向上延伸，升降杆的延伸端套设有第一砝码；第一球体，其上部固定在升降杆的底部，其下部与排气通道的上部相抵。本发明能最大化排出坩埚内残余气体，提升密封效果，防止由于升降机构高温形变以及粉尘粘结等进而导致倾斜被卡的现象发生，耐久性好，保证碳化硅单晶优质稳定生长，使用寿命长，并能够灵活适应不同规格的大尺寸碳化硅单晶的生长。
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公开(公告)号：CN118652135A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411132799.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件。制备装置，包括：坩埚部，其具有中空结构，中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁；石墨部件，其与坩埚部同轴设置，其位于坩埚部的上方，其下端与坩埚壁的上端密封固定连接；导流件，其包括柱形段，柱形段位于石墨部件的内部，柱形段与石墨部件同轴设置，柱形段的外壁与石墨部件的内表面留有间隔，其位于五氧化二钽容纳部的上方，前述间隔与五氧化二钽容纳部相连通。本发明的方法能显著降低碳化钽膜层的制备成本，提高碳化钽膜层的致密性，延长石墨部件的使用寿命，减少晶体内部的包裹体数量，显著提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118028969B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410431329.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于生长碳化硅单晶技术领域，具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置和方法，包括设置在坩埚盖外表面的排气组件，排气组件包括：支撑架，其安装在靠近排气通道的部分坩埚盖的上表面，且其中部设置导向孔；支撑架为罩状且覆盖在排气通道的上方外围；升降杆，其由支撑架的内部沿导向孔向外穿出而继续向上延伸，升降杆的延伸端套设有第一砝码；第一球体，其上部固定在升降杆的底部，其下部与排气通道的上部相抵。本发明能最大化排出坩埚内残余气体，提升密封效果，防止由于升降机构高温形变以及粉尘粘结等进而导致倾斜被卡的现象发生，耐久性好，保证碳化硅单晶优质稳定生长，使用寿命长，并能够灵活适应不同规格的大尺寸碳化硅单晶的生长。
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