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公开(公告)号：CN1673306B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200510059065.4
申请日：2005-03-22
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物，其中氧化硅粒子的ζ电位为-15～40mV；涉及一种基板的制造方法，其包括如下工序：使用将包含水系介质与氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节到-15～40mV的研磨液组合物，对被研磨基板进行研磨；涉及一种降低被研磨基板划痕的方法，其将包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节至-15～40mV。本发明的研磨液组合物适用于精密部件基板，例如磁盘、光盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨中。
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公开(公告)号：CN1286939C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN03155318.4
申请日：2003-08-27
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供，一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，粒径在2～200nm范围的研磨粒子，其含量为50体积%以上，且研磨粒子中粒径在2nm以上且小于58nm的粒子，粒径在58nm以上且小于75nm的粒子，粒径在75nm至200nm的粒子分别占研磨粒子总量的40～75体积%，0～50体积%，10～60体积%；一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1；使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1673306A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059065.4
申请日：2005-03-22
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物，其中氧化硅粒子的ζ电位为－15～40mV；涉及一种基板的制造方法，其包括如下工序：使用将包含水系介质与氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节到－15～40mV的研磨液组合物，对被研磨基板进行研磨；涉及一种降低被研磨基板划痕的方法，其将包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节至－15～40mV。本发明的研磨液组合物适用于精密部件基板，例如磁盘、光盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨中。
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公开(公告)号：CN1488702A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03155318.4
申请日：2003-08-27
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供，一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，粒径在2～200nm范围的研磨粒子，其含量为50体积％以上，且研磨粒子中粒径在2nm以上且小于58nm的粒子，粒径在58nm以上且小于75nm的粒子，粒径在75nm至200nm的粒子分别占研磨粒子总量的40～75体积％，0～50体积％，10～60体积％；一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1；使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。
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