公开(公告)号：CN103959479B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201280059059.7

申请日：2012-11-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： N.屈 ,  A.格拉赫

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管，其具有：n+衬底；n外延层；至少两个置入到n外延层中的p参杂沟槽；台面区域，其处于相邻沟槽之间；充当阴极电极的金属层；以及充当阳极电极的另外的金属层。外延层的厚度大于沟槽的深度的四倍。

公开(公告)号：CN103959479A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280059059.7

申请日：2012-11-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： N.屈 ,  A.格拉赫

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管，其具有：n+衬底；n外延层；至少两个置入到n外延层中的p参杂沟槽；台面区域，其处于相邻沟槽之间；充当阴极电极的金属层；以及充当阳极电极的另外的金属层。外延层的厚度大于沟槽的深度的四倍。