公开(公告)号：CN1832188B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200610058934.6

申请日：2006-03-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高木贺子 ,  森裕之

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明提供了一种MOS固态成像装置，其中MOS晶体管的耐压和l/f噪声得以改善。在该MOS固态成像装置中，它的单位像素至少包括光电转换部分和多个绝缘栅场效应晶体管，其中，在多个绝缘栅场效应晶体管中，在部分绝缘栅场效应晶体管中的栅极绝缘膜的厚度与至少部分其它绝缘栅场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同。

公开(公告)号：CN1832188A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610058934.6

申请日：2006-03-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高木贺子 ,  森裕之

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明提供了一种MOS固态成像装置，其中MOS晶体管的耐压和1/f噪声得以改善。在该MOS固态成像装置中，它的单位像素至少包括光电转换部分和多个绝缘栅场效应晶体管，其中，在多个绝缘栅场效应晶体管中，在部分绝缘栅场效应晶体管中的栅极绝缘膜的厚度与至少部分其它绝缘栅场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同。