公开(公告)号：CN1960448B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200610137969.9

申请日：2006-11-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渊圭司

IPC: H04N5/3745 ,  H04N5/357

CPC classification number: H04N5/3745 ,  H04N5/357

Abstract: 本发明公开了一种物理量检测装置。所述物理量检测装置包括：检测单元，对从外部提供的物理量进行检测；以及像素，其被二维排列并且每个像素都具有用于将来自所述检测单元的信号输出到信号线的选择晶体管。在所述物理量检测装置中，所述选择晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN102186024A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110120007.3

申请日：2006-11-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渊圭司

IPC: H04N5/357

CPC classification number: H04N5/3745 ,  H04N5/357

Abstract: 本发明公开了一种物理量检测装置和成像设备。所述物理量检测装置包括：检测单元，对从外部提供的物理量进行检测；以及像素，其被二维排列并且每个像素都具有用于将来自所述检测单元的信号输出到信号线的选择晶体管。在所述物理量检测装置中，所述选择晶体管是耗尽型晶体管，恒流源被连接到所述信号线，当与所述信号线相对应的所有像素的选择晶体管被关断时，所述恒流源被关断，并且当所述选择晶体管被关断时，所述选择晶体管的栅极电压被设为一电压，该电压距关断侧比距其中形成了所述选择晶体管的阱的电压更近。

公开(公告)号：CN1960448A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610137969.9

申请日：2006-11-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渊圭司

IPC: H04N5/335 ,  H04N3/15 ,  H01L27/146 ,  H03K17/687 ,  G06K9/00

CPC classification number: H04N5/3745 ,  H04N5/357

Abstract: 本发明公开了一种物理量检测装置。所述物理量检测装置包括：检测单元，对从外部提供的物理量进行检测；以及像素，其被二维排列并且每个像素都具有用于将来自所述检测单元的信号输出到信号线的选择晶体管。在所述物理量检测装置中，所述选择晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN102186024B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201110120007.3

申请日：2006-11-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渊圭司

IPC: H04N5/232

CPC classification number: H04N5/3745 ,  H04N5/357

Abstract: 本发明公开了一种物理量检测装置和成像设备。所述物理量检测装置包括：检测单元，对从外部提供的物理量进行检测；以及像素，其被二维排列并且每个像素都具有用于将来自所述检测单元的信号输出到信号线的选择晶体管。在所述物理量检测装置中，所述选择晶体管是耗尽型晶体管，恒流源被连接到所述信号线，当与所述信号线相对应的所有像素的选择晶体管被关断时，所述恒流源被关断，并且当所述选择晶体管被关断时，所述选择晶体管的栅极电压被设为一电压，该电压距关断侧比距其中形成了所述选择晶体管的阱的电压更近。

公开(公告)号：CN100442530C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200610008003.5

申请日：2006-02-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渊圭司 ,  唐泽信浩

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明公开了固态成像器件及其驱动方法和照相装置。在采用在衬底后表面侧上形成p+层以便防止从硅边界表面产生暗电流的结构的情形中，出现了各种问题。根据本发明，在硅衬底(31)的后表面上提供有绝缘薄膜(39)，并且在其上还提供有透明电极(40)，并且通过将相对于硅衬底(31)的电势的负电压从电源(41)通过透明电极(40)施加到绝缘薄膜(39)，空穴在衬底后表面侧的硅边界表面上被累积，从而创建了与其中在前述硅边界表面上存在空穴累积层的状态等价的结构。从而可以避免相关技术中的各种问题。

公开(公告)号：CN1825609A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610008003.5

申请日：2006-02-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渊圭司 ,  唐泽信浩

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明公开了固态成像器件及其驱动方法和照相装置。在采用在衬底后表面侧上形成p+层以便防止从硅边界表面产生暗电流的结构的情形中，出现了各种问题。根据本发明，在硅衬底(31)的后表面上提供有绝缘薄膜(39)，并且在其上还提供有透明电极(40)，并且通过将相对于硅衬底(31)的电势的负电压从电源(41)通过透明电极(40)施加到绝缘薄膜(39)，空穴在衬底后表面侧的硅边界表面上被累积，从而创建了与其中在前述硅边界表面上存在空穴累积层的状态等价的结构。从而可以避免相关技术中的各种问题。