公开(公告)号：CN101527167B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200910130790.4

申请日：2009-02-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·P·戈赛恩 ,  高德真人 ,  仲岛义晴 ,  田中勉

IPC: G11C11/40 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G11C13/0002

Abstract: 本发明提供一种可以组装到有源矩阵型显示装置的像素中的超小型存储元件。本发明的存储元件(1)由薄膜晶体管(TFT)和可变电阻元件(ReRAM)并联连接而构成。可变电阻元件(ReRAM)由与薄膜晶体管(TFT)的输入端侧连接的一导电层、与薄膜晶体管(TFT)的输出端侧连接的另一导电层、以及配置在两导电层之间的至少一层氧化膜层构成，根据施加到栅极上的电压，薄膜晶体管(TFT)处于断开状态时，可变电阻元件(ReRAM)根据从输入端施加的电压在低电阻状态(LRS)和高电阻状态(HRS)之间变化，写入对应的二值数据。

公开(公告)号：CN101527167A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910130790.4

申请日：2009-02-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·P·戈赛恩 ,  高德真人 ,  仲岛义晴 ,  田中勉

IPC: G11C11/40 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G11C13/0002

Abstract: 本发明提供一种可以组装到有源矩阵型显示装置的像素中的超小型存储元件。本发明的存储元件(1)由薄膜晶体管(TFT)和可变电阻元件(ReRAM)并联连接而构成。可变电阻元件(ReRAM)由与薄膜晶体管(TFT)的输入端侧连接的一导电层、与薄膜晶体管(TFT)的输出端侧连接的另一导电层、以及配置在两导电层之间的至少一层氧化膜层构成，根据施加到栅极上的电压，薄膜晶体管(TFT)处于断开状态时，可变电阻元件(ReRAM)根据从输入端施加的电压在低电阻状态(LRS)和高电阻状态(HRS)之间变化，写入对应的二值数据。