公开(公告)号：CN101751991B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200910251375.4

申请日：2009-12-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 五十岚实 ,  肥后丰 ,  细见政功 ,  鹿野博司 ,  楠真一郎 ,  大森广之 ,  大石雄纪 ,  山元哲也 ,  山根一阳

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线为直线并且相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。

公开(公告)号：CN101751991A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910251375.4

申请日：2009-12-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 五十岚实 ,  肥后丰 ,  细见政功 ,  鹿野博司 ,  楠真一郎 ,  大森广之 ,  大石雄纪 ,  山元哲也 ,  山根一阳

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。

公开(公告)号：CN101751990A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910251369.9

申请日：2009-12-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 五十岚实 ,  肥后丰 ,  细见政功 ,  鹿野博司 ,  楠真一郎 ,  大森广之 ,  大石雄纪 ,  山元哲也 ,  山根一阳

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/226 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

Abstract: 一种阻抗可变型存储装置，包括通过利用基于注入电流的自旋转移效应来写入数据的阻抗可变型存储单元；和产生多个写入脉冲和用于规定写入脉冲之间的电平的偏置脉冲的合成脉冲并且在写入时提供所述合成脉冲至所述存储单元的驱动电路。