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公开(公告)号:CN102077283B
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN200980125376.2
申请日:2009-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社 , TDK股份有限公司 , 索尼株式会社
IPC: G11B7/24038
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/1376 , G11B7/13925 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种可提高伺服信号及再生信号的质量的光记录介质及光记录介质的制造方法。对于光记录介质(40),当定义光记录介质(40)的表面(40z)与第一信息记录面(40a)之间的厚度为t1、第一信息记录面(40a)与第二信息记录面(40b)之间的厚度为t2、第二信息记录面(40b)与第三信息记录面(40c)之间的厚度为t3、第三信息记录面(40c)与第四信息记录面(40d)之间的厚度为t4时,满足t3-t4≥1μm、t4-t2≥1μm、t2≥10μm及t1-(t2+t3+t4)≥1μm。
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公开(公告)号:CN101541553B
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN200880000345.X
申请日:2008-02-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/259 , G11B2007/24302 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24318 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324
Abstract: 通过在基板10上顺序地层叠反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层13来构造光信息记录介质1。可以采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层,或优选地由组成化学式[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y(其中满足0<x≤1.0,0.3≤y≤0.7且0.8<z≤1.0,X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素)表示的记录层作为记录层13。
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公开(公告)号:CN102077283A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200980125376.2
申请日:2009-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社 , TDK股份有限公司 , 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/1376 , G11B7/13925 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种可提高伺服信号及再生信号的质量的光记录介质及光记录介质的制造方法。对于光记录介质(40),当定义光记录介质(40)的表面(40z)与第一信息记录面(40a)之间的厚度为t1、第一信息记录面(40a)与第二信息记录面(40b)之间的厚度为t2、第二信息记录面(40b)与第三信息记录面(40c)之间的厚度为t3、第三信息记录面(40c)与第四信息记录面(40d)之间的厚度为t4时,满足t3-t4≥1μm、t4-t2≥1μm、t2≥10μm及t1-(t2+t3+t4)≥1μm。
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公开(公告)号:CN101541553A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200880000345.X
申请日:2008-02-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/259 , G11B2007/24302 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24318 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324
Abstract: 通过在基底10上顺序地层叠反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层13来构造光信息记录介质1。可以采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层,或优选地由组合物化学式[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y(其中满足0<x≤1.0,0.3≤y≤0.7且0.8<z≤1.0,X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素)表示的记录层作为记录层13。
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