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公开(公告)号:CN101635147B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN200910145583.6
申请日:2009-06-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/1387 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B7/007 , B82Y10/00
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/1387 , G11B7/24035 , G11B7/24047 , G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328
Abstract: 本发明涉及信号检测装置和信号检测方法。一种信号检测装置包括:半导体衬底;近场光发生部分,其设置在所述半导体衬底上并在与所述半导体衬底的界面附近产生近场光;光源,其输出具有对应于所述半导体衬底的材料的带隙能量的约一半大的光子能量的波长的光;以及电流检测单元,其检测在所述近场光被产生时在所述半导体衬底中产生的光电流。
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公开(公告)号:CN101635147A
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200910145583.6
申请日:2009-06-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/135 , G11B33/00 , G11B11/105 , G11B11/03
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/1387 , G11B7/24035 , G11B7/24047 , G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328
Abstract: 本发明涉及信号检测装置和信号检测方法。一种信号检测装置包括:半导体衬底;近场光发生部分,其设置在所述半导体衬底上并在与所述半导体衬底的界面附近产生近场光;光源,其输出具有对应于所述半导体衬底的材料的带隙能量的约一半大的光子能量的波长的光;以及电流检测单元,其检测在所述近场光被产生时在所述半导体衬底中产生的光电流。
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