公开(公告)号：CN1181635A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97121208.2

申请日：1997-10-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 乔纳森·韦斯特沃特 ,  德哈拉姆·帕尔·高塞恩 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/005 ,  B82Y15/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  H01L33/06 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/874 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/879

Abstract: 加热硅衬底时,厚度为0.6nm的金蒸发于其上,因此在衬底表面形成熔融的合金液滴。然后,在小于0.5Torr的硅烷气体气氛中将硅衬底加热到450℃—650℃。因此,发生由熔融的合金液滴做催化剂的硅烷气体的分解反应,因而硅线生长在衬底表面。接下来,除去硅线端部的熔融的合金液滴,并氧化硅线的表面部分。此后除去所得的表面氧化层。因此,得到减薄厚度为表面氧化层厚度的硅量子线。

公开(公告)号：CN1542976A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410032829.6

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1979769A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610110899.8

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1256793A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99800177.5

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时,使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时,使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷,存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄,存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此,可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN100524633C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610110899.8

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1309087C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410032829.6

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1150631C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN97121208.2

申请日：1997-10-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 乔纳森·韦斯特沃特 ,  德哈拉姆·帕尔·高塞恩 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/005 ,  B82Y15/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  H01L33/06 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/874 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/879

Abstract: 制造量子线的方法，包括以下步骤：在衬底上形成具有开口的掩模；将生长线期间成为催化剂的金属蒸发到其上形成掩模的衬底上；并且在含有形成线的材料气的气氛中加热蒸发金属于其上的衬底，在衬底的开口中生长线，其中衬底作为在掩模开口中生长线的核，其特征在于由在衬底的表面上形成多个凹槽，和选择性地刻蚀凹槽的侧壁在多个凹槽的相邻的凹槽之间形成突起的步骤形成核。根据本发明的方法，可以高精度地生长线。

公开(公告)号：CN1327262A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN01124308.2

申请日：2001-05-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： G·达拉姆 ,  帕尔 ,  野本和正 ,  町田晓夫 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12

Abstract: 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后,通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区,源区和漏区。然后,形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层,通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说,对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷,同时不会对衬底造成热损坏。

公开(公告)号：CN1169225C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN99800177.5

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文 ,  达拉姆·派尔·古赛恩

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1146059C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN01124308.2

申请日：2001-05-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： G·达拉姆帕尔 ,  野本和正 ,  町田晓夫 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12

Abstract: 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后，通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区，源区和漏区。然后，形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层，通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说，对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷，同时不会对衬底造成热损坏。