公开(公告)号：CN117546627A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280043629.7

申请日：2022-06-22

Applicant: 索尼半导体解决方案公司 ,  索尼集团公司

Inventor： 氏家康晴 ,  根岸佑树 ,  齐藤阳介 ,  市村真理

IPC: H10K30/60 ,  H10K85/60 ,  H10K39/32

Abstract: 根据本公开实施例的第一半导体元件包括：第一电极；第二电极，其布置成与第一电极相对；以及有机半导体层，其设置在第一电极和第二电极之间并且包括有机半导体材料，该有机半导体材料的粉末通过X射线结构分析具有大于1.26g/cm3且小于1.50g/cm3的晶体密度，并且该有机半导体材料具有1200以下的分子量且适用于真空沉积成膜。

公开(公告)号：CN118923225A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029306.7

申请日：2023-03-09

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 氏家康晴 ,  市村真理 ,  高桥千明

IPC: H10K50/12 ,  C09K11/06 ,  G09F9/30 ,  H05B33/12 ,  H05B33/26 ,  H10K50/00 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K50/17 ,  H10K50/19 ,  H10K50/816 ,  H10K50/858 ,  H10K59/00 ,  H10K59/32 ,  H10K85/30 ,  H10K85/60 ,  H10K102/10

Abstract: 根据本公开的一个实施例的第一半导体元件包括：第一电极；第二电极，部署成与第一电极相对；以及有机层，设置在第一电极与第二电极之间，并且包括发光层，该发光层包括至少一种在分子中具有由通式(1)和通式(2)表示的1个骨架的杂并苯衍生物。

公开(公告)号：CN115461930A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030946.0

申请日：2021-04-14

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 五十岚绘里 ,  梅津畅彦 ,  山田笃 ,  市村真理

IPC: H01P1/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本发明提供能够控制波动、同时实现超材料等的尺寸减小和带宽增加的波动控制介质。波动控制介质(10)通过组合至少两个以螺旋结构形成的三维微结构体的线圈(11)和线圈(12)来形成，并具有电容器和电感器的功能，所述三维微结构体包括金属、介电材料、磁性材料、半导体和超导体中任一种或从这些材料的多种组合中选择的材料。线圈(11)和线圈(12)在相互面对的线圈(11)的侧面和线圈(12)的侧面之间形成电容器，并且通过由具有螺旋结构的线圈(11)和线圈(12)形成三维多共鸣结构来形成电感器。