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发明公开
交差点型强电介质存储器无效

公开(公告)号：CN1612349A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410089671.6

申请日：2004-10-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 , 相泽弘之

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/22 , H01L21/8221 , H01L27/0688

Abstract: 本发明提供一种高质量的交差点型强电介质存储器。该交差点型强电介质存储器(100)，将第1存储器单元阵列(30)与第2存储器单元阵列(60)，通过介入第1层间绝缘层(20)与第2层间绝缘层(50)而层叠。第1存储器单元阵列(30)包括：形成为条纹状的下部电极36；在与下部电极(36)交叉的方向上形成为条纹状的上部电极(38)；配置在上部电极(36)与下部电极(38)的至少交叉部分中的强电介质电容器34；和形成在强电介质电容器(34)之间的嵌入式绝缘层(32)。第1层间绝缘层(20)，在第1绝缘层(24)与第2绝缘层(26)之间具有导电层(22)。

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