电光装置及具备其的电子设备

    公开(公告)号:CN101193481B

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN200710194634.5

    申请日:2007-11-27

    Inventor: 吉井荣仁

    CPC classification number: G02F1/1345 G02F1/133512 G02F1/136209

    Abstract: 本发明提供电光装置及具备其的电子设备,减少相邻的采样开关间的间隙中的漏光的产生。电光装置,在像素区域(10a)的周边的周边区域,具备包括多个晶体管(71)的采样电路(7),晶体管(71)具备:具有连接于沿数据线(6a)延伸的第1方向的源布线(71S)的源区域(74S)、连接于沿第1方向的漏布线(71D)的漏区域(74D)、和沟道区域(74C)的半导体层(74),并对应于多条数据线所排列。而且,在比半导体层(74)靠上层侧,具备设置于相邻的晶体管间的间隙区域(D1)的至少一部分、并至少部分地重叠于该相邻的晶体管所具有的半导体层的间隙遮光膜(210)。

    静电防护电路、电光装置及电子设备

    公开(公告)号:CN105637630B

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201480055737.1

    申请日:2014-10-10

    Inventor: 吉井荣仁

    Abstract: 第一静电防护电路配备第一n型晶体管和第一p型晶体管,第二静电防护电路配备第二n型晶体管和第二p型晶体管中的至少一者,源与这些晶体管的栅连接,第一n型晶体管的栅与低电位电源配线VSS进行电连接,第一n型晶体管的漏与信号配线SL进行电连接,第一p型晶体管的栅与高电位电源配线VDD进行电连接,第一p型晶体管的漏与信号配线SL进行电连接,第二n型晶体管和第二p型晶体管中的至少一者的漏与低电位电源配线VSS或高电位电源配线VDD进行电连接。

    电光装置及电子设备
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101398544B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200810161520.5

    申请日:2008-09-24

    Inventor: 吉井荣仁

    Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中,防止静电击穿,并谋求小型化。电光装置,具备:基板(10),排列于基板上的像素区域的多个像素部(600),配置于位于所述基板上的所述像素区域的周边的周边区域、对多个像素部供给信号的周边电路(7),设置于周边区域的端子(102v),和从端子向周边电路引绕、并具有低电阻部分(310)和其电阻比该低电阻部分高的高电阻部分(320)的引绕布线(300)。而且,高电阻部分的至少一部分(321),与端子通过层间绝缘膜配置于互不相同的层并在周边区域之中的形成有端子的区域内引绕。

    电光装置、布线基板及电子设备

    公开(公告)号:CN1912720A

    公开(公告)日:2007-02-14

    申请号:CN200610115482.0

    申请日:2006-08-10

    Inventor: 吉井荣仁

    Abstract: 本发明的电光装置特征在于:分离区域(30)设置于按网格状延伸地相互隔开多个下侧遮光膜(501)的区域之中的沿Y方向延伸的分离区域(R2)。引出布线(241a)及(242a)在绝缘膜(91)上,分别形成为沿Y方向延伸,且以使隔开相互的分离区域(R1)不与分离区域(R2)重合地平面看上去沿X方向排列。因而,可以减少液晶装置(1)的制造时或工作时、分离区域(30)所产生的裂缝通过绝缘膜(91)向分离区域(R1)传播的情况。

    静电保护电路、光电装置及电子设备

    公开(公告)号:CN104280955A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201410289444.1

    申请日:2014-06-25

    CPC classification number: H01L27/0266 H01L27/1203 H01L27/1244

    Abstract: 本发明提供更强地抑制静电影响的静电保护电路、光电装置及电子设备。本发明涉及的静电保护电路,其特征为:在第1布线(321),电连接有第1p型晶体管(310a)的漏(315a)和第1n型晶体管(330a)的栅(333a)及源(334a);在第2布线(322),电连接有第1p型晶体管(310a)的栅(313a)及源(314a)、第1n型晶体管(330a)的漏(335a)、第2p型晶体管(310b)的漏(315b)和第2n型晶体管(330b)的栅(330b)及源(334b);在第3布线(323),电连接有第2p型晶体管(310b)的栅(313b)及源(314b)和第2n型晶体管(330b)的漏(335b)。

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