半导体存储装置和使用了该半导体存储装置的电子设备

    公开(公告)号:CN1107320C

    公开(公告)日:2003-04-30

    申请号:CN96122424.X

    申请日:1996-10-14

    CPC classification number: G11C7/12 G11C8/14 G11C11/418 G11C29/02

    Abstract: 一种主字线和位线短路也无短路电流的半导体存储装置。具有多个含有多列的位线对、子字线和正规存储单元的阵列块。还有配设为遍及多个正规存储单元阵列块上的主字线。根据子行地址信号选择一条主字线的主行选择译码器、选择从属于主字线的一条子字线的子行选择译码器。位线对的预充电电路。其中,主行选择译码器具有把低电平激活化的主字线用与已充电的位线相等的电位设定为非激活的第1设定电路。而子行选择译码器具有在主字线为高电平时把子字线变成为非激活的第2设定电路。

    半导体存储装置和使用了该半导体存储装置的电子设备

    公开(公告)号:CN1154561A

    公开(公告)日:1997-07-16

    申请号:CN96122424.X

    申请日:1996-10-14

    CPC classification number: G11C7/12 G11C8/14 G11C11/418 G11C29/02

    Abstract: 一种主字线和位线短路也无短路电流的半导体存储装置。具有多个含有多列的位线对、子字线和正规存储单元的阵列块。还有配设为遍及多个正规存储单元阵列块上的主字线。根据子行地址信号选择一条主字线的主行选择译码器、选择从属于主字线的一条子字线的子行选择译码器。位线对的预充电电路。其中,主行选择译码器具有把低电平激活化的主字线用与已充电的位线相等的电位设定为非激活的第1设定电路。而子行选择译码器具有在主字线为高电平时把子字线变成为非激活的第2设定电路。

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