公开(公告)号：CN1550826B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410031077.1

申请日：2004-04-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出慎 ,  伊藤友幸 ,  腰原健 ,  北川笃史

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供能够极力地把薄膜晶体管的漏电流抑制为低水平，能够容易地与像素的超高清晰对向应的液晶装置以及具备了该液晶装置的电子设备，本发明的液晶装置把TFT30做成具备了由多晶硅膜构成的半导体层42，在多个位置与上述半导体层42交叉的多个栅电极32～34的P型晶体管，同时，在上述半导体层42的各个沟道区1a的两侧部分具有形成了低浓度掺杂区1b、1c的LDD构造，在上述薄膜晶体管的厚度方向两侧具备遮光单元(遮光膜15，数据线分支部分6c)。

公开(公告)号：CN1249501C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03160089.1

申请日：2003-09-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 关琢巳 ,  北川笃史

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136209

Abstract: 本发明提供一种有效利用了防止或者抑制对半导体元件的光入射的遮光层的电光装置。本发明的液晶显示装置，在具备像素电极(9)的元件基板(10)和与元件基板相对的对置基板(20)之间夹持电光材料(50)而构成，其特征在于：在元件基板(10)上，形成有驱动像素电极(9)的半导体元件(30)、覆盖该半导体元件(30)的绝缘膜(17、18)、被形成在该绝缘膜(17、18)上的反射板(14)，反射板(14)具备开口部(14a)而构成，另一方面，在半导体元件(30)的元件基板(10)一侧，形成有遮蔽对该半导体元件(30)的光入射的遮光层(13)，该遮光层(13)，在和反射板(14)的开口部(14a)大致相同的区域上具备开口部(13a)。

公开(公告)号：CN1550826A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410031077.1

申请日：2004-04-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出慎 ,  伊藤友幸 ,  腰原健 ,  北川笃史

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供能够极力地把薄膜晶体管的漏电流抑制为低水平，能够容易地与像素的超高清晰对向应的液晶装置以及具备了该液晶装置的电子设备，本发明的液晶装置把TFT30做成具备了由多晶硅膜构成的半导体层42，在多个位置与上述半导体层42交叉的多个栅电极32～34的P型晶体管，同时，在上述半导体层42的各个沟道区1a的两侧部分具有形成了低浓度掺杂区1b、1c的LDD构造，在上述薄膜晶体管的厚度方向两侧具备遮光单元(遮光膜15，数据线分支部分6c)。