公开(公告)号：CN1886822A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035346.X

申请日：2004-12-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 杉田大平 ,  福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  下村和弘 ,  北岛义一 ,  大山康彦

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明目的在于提供一种能在不导致破损的情况下以高生产率得到半导体芯片的半导体芯片的制造方法。本发明的半导体芯片的制造方法，其中包括：在形成有电路的半导体晶片上粘贴切割用粘合带的粘合带粘贴工序，所述切割用粘合带具有含通过光照产生气体的气体产生剂的粘合剂层；切割已粘贴所述切割用粘合带的晶片，分割成各个半导体芯片的切割工序；对所述被分割的各个半导体芯片照射光，将至少一部分所述切割用粘合带从半导体芯片剥离的剥离工序；和利用无针拾取法拾取所述半导体芯片的拾取工序。

公开(公告)号：CN101019206A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200480043615.7

申请日：2004-08-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  林聪史 ,  福冈正辉 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  杉田大平 ,  北岛义一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  C09J201/00 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J5/00 ,  C08K5/23 ,  C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供一种可以以高生产率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。本发明至少包括：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下磨削所述晶片的工序(2)，向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)；在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。