一种直流偏置下共模电感宽频特性的测量装置及方法

    公开(公告)号:CN114184872A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111609273.2

    申请日:2021-12-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种直流偏置下共模电感宽频特性的测量装置及方法,所述测量装置包括直流电源、电感、第一隔直电容、第二隔直电容、待测共模电感和阻抗测量设备,所述直流电源的正极端连接电感的一端,所述电感的另一端分两路,一路连接待测共模电感的第一绕组的第一连接端,另一路经第一隔直电容连接阻抗测量设备的第一连接端;所述直流电源的负极端分两路,一路连接待测共模电感的第二绕组的第一连接端,另一路经第二隔直电容连接阻抗测量设备的第一连接端;所述第一绕组的第二连接端和第二绕组的第二连接端短接,并连接阻抗测量设备的第二连接端。该测量装置及方法有利于提高测量的准确性和安全性。

    一种直流偏置下共模电感宽频特性的测量装置及方法

    公开(公告)号:CN114184872B

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202111609273.2

    申请日:2021-12-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种直流偏置下共模电感宽频特性的测量装置及方法,所述测量装置包括直流电源、电感、第一隔直电容、第二隔直电容、待测共模电感和阻抗测量设备,所述直流电源的正极端连接电感的一端,所述电感的另一端分两路,一路连接待测共模电感的第一绕组的第一连接端,另一路经第一隔直电容连接阻抗测量设备的第一连接端;所述直流电源的负极端分两路,一路连接待测共模电感的第二绕组的第一连接端,另一路经第二隔直电容连接阻抗测量设备的第一连接端;所述第一绕组的第二连接端和第二绕组的第二连接端短接,并连接阻抗测量设备的第二连接端。该测量装置及方法有利于提高测量的准确性和安全性。

    一种变压器的结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112735775A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202110072961.3

    申请日:2021-01-20

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种变压器的结构,包括磁芯结构和绕组结构,所述绕组结构包含环形管状的原边绕组和设置在原边绕组内部的副边绕组;所述磁芯结构包含若干个呈环形分布的环形磁芯,所述原边绕组至少一次贯穿若干个环形磁芯,所述原边绕组为空心管状导体,所述副边绕组为至少一根导线导体。本发明可以更好地兼顾和协调激磁电感大、交流电阻小、漏感小和分布电容小等参数要求,尤其满足高压情况下的需求,同时结构紧凑简单,体积小,成本低。

    一种直流偏置下共模电感宽频特性的测量装置

    公开(公告)号:CN217007523U

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202123306929.1

    申请日:2021-12-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种直流偏置下共模电感宽频特性的测量装置,所述测量装置包括直流电源、电感、第一隔直电容、第二隔直电容、待测共模电感和阻抗测量设备,所述直流电源的正极端连接电感的一端,所述电感的另一端分两路,一路连接待测共模电感的第一绕组的第一连接端,另一路经第一隔直电容连接阻抗测量设备的第一连接端;所述直流电源的负极端分两路,一路连接待测共模电感的第二绕组的第一连接端,另一路经第二隔直电容连接阻抗测量设备的第一连接端;所述第一绕组的第二连接端和第二绕组的第二连接端短接,并连接阻抗测量设备的第二连接端。该测量装置有利于提高测量的准确性和安全性。

    一种变压器的结构
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN214588391U

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202120146765.1

    申请日:2021-01-20

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种变压器的结构,包括磁芯结构和绕组结构,所述绕组结构包含环形管状的原边绕组和设置在原边绕组内部的副边绕组;所述磁芯结构包含若干个呈环形分布的环形磁芯,所述原边绕组至少一次贯穿若干个环形磁芯,所述原边绕组为空心管状导体,所述副边绕组为至少一根导线导体。本实用新型可以更好地兼顾和协调激磁电感大、交流电阻小、漏感小和分布电容小等参数要求,尤其满足高压情况下的需求,同时结构紧凑简单,体积小,成本低。

    一种抑制漏磁的磁芯结构

    公开(公告)号:CN216597173U

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202123183242.3

    申请日:2021-12-17

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 陈为 陈凌锋

    Abstract: 本实用新型涉及一种抑制漏磁的磁芯结构,一种抑制漏磁的磁芯结构,包括由磁性材料构成的环形芯部,所述环形芯部的全部或部分外侧面覆盖一层由良导体材料构成的良导体层,所述环形芯部及良导体层的整个外周部覆盖一层由绝缘材料构成的绝缘材料层。该磁芯结构有利于抑制磁场泄漏。

Patent Agency Ranking