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公开(公告)号：CN111628076A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010503001.3
申请日：2020-06-05
Applicant: 福州大学
Inventor： 赖云锋 , 胡敏锐 , 周海芳 , 程树英 , 郑巧 , 俞金玲
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出一种突触器件改善其电导调制行为的方法，所述方法通过在突触器件电极间的阻变介质区处设置氧存储层来调制电子和氧空位的迁移速度，以此提升电导抑制过程的调制线性度，并提高所述突触器件电导调节的整体对称性；本发明可以改善突触器件的电导调制线性度和电导调制对称性。
