公开(公告)号：CN104409651A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410237612.2

申请日：2014-05-31

Applicant: 福州大学

Inventor： 李福山 ,  郭太良 ,  聂晨 ,  曾群英 ,  吴家祺

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的目的在于提供一种OLED器件结构，包括设于底层的玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板上依次设有阳极层，空穴传输层，有机发光层，电子注入缓存层，阴极层和封装薄膜层。本发明采用在打印头上设置多喷头同时打印的方法，通过计算机预先设计OLED器件及封装薄膜的三维模型，在加热基板上精确定位各层结构的扫描路径，进而打印形成OLED器件，在打印的同时利用加热固化转置进行加热的处理，这种方法较传统器件打印方法大大简化，可一次性成型器件并实现封装，省去了多次装填材料的麻烦，大大缩减了工作时间，成型器件与传统层层打印的器件相比，旋转了90°，并实现了OLED器件的薄膜封装。

公开(公告)号：CN104049410A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410267257.3

申请日：2014-06-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 李福山 ,  郭太良 ,  吴薇 ,  聂晨 ,  林健

IPC: G02F1/13357

Abstract: 本发明涉及一种用于量子点增强膜（QDEF）的增透膜及其制备方法。所述QDEF膜自上而下依次为阻挡层、量子点层、阻挡层、增透膜。其中增透膜通过电子束蒸发或磁控溅射等方式镀膜而成。由于在QDEF的入光面加上了一层增透膜，从而提升了QDEF的光学入射效率，减少QDEF的引入导致液晶显示器的光学损耗，提高了流明效率。

公开(公告)号：CN104993022B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510492347.7

申请日：2015-08-12

Applicant: 福州大学

Inventor： 李福山 ,  郭太良 ,  许鸿源 ,  陈伟 ,  聂晨 ,  胡海龙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于喷墨打印技术制备量子点光探测阵列器件的方法，对衬底进行等离子和氯仿处理，然后用喷墨打印机分别用金属电极墨水和量子点墨水在衬底上打印出金属电极阵列和量子点阵列，最后在黑暗和任意单色光源的环境下进行电流电压测试。本发明所提出的一种基于喷墨打印技术制备量子点光探测阵列器件的方法，制备工艺简单，可大规模进行生产，且由于该光探测器件采用了量子点，故该光探测器件对任意激发光源具有较好的光敏特性。

公开(公告)号：CN104993022A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510492347.7

申请日：2015-08-12

Applicant: 福州大学

Inventor： 李福山 ,  郭太良 ,  许鸿源 ,  陈伟 ,  聂晨 ,  胡海龙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/035218

Abstract: 本发明涉及一种基于喷墨打印技术制备量子点光探测阵列器件的方法，对衬底进行等离子和氯仿处理，然后用喷墨打印机分别用金属电极墨水和量子点墨水在衬底上打印出金属电极阵列和量子点阵列，最后在黑暗和任意单色光源的环境下进行电流电压测试。本发明所提出的一种基于喷墨打印技术制备量子点光探测阵列器件的方法，制备工艺简单，可大规模进行生产，且由于该光探测器件采用了量子点，故该光探测器件对任意激发光源具有较好的光敏特性。