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公开(公告)号：CN119342985A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437195.6
申请日：2024-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/165 , H10K50/155 , H10K50/115 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/40
Abstract: 本发明涉及一种利用液晶分子调控QLED载流子平衡的方法，属于QLED显示领域。所述方法，包括在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属阴极；将液晶分子掺入空穴传输层或电子传输层，通过液晶分子的电场响应与热响应特性，调控周围载流子的注入与传输，进而调控QLED载流子平衡，提高QLED器件性能。
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