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公开(公告)号：CN115888762B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310029982.6
申请日：2023-01-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法。该方法首先在预处理后的FTO导电玻璃上通过水热法生长氧化钛纳米棒阵列，然后通过溶剂热法在氧化钛表面外延生长金属离子掺杂的硫铟铜纳米颗粒，形成金属离子掺杂硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料。通过调控掺杂金属离子的种类与浓度，提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能。本发明方法简单易行，环境友好，金属离子的掺杂进一步增强了硫铟铜/氧化钛异质结复合材料的光吸收效率，增加活性位点，结合异质结构促进电荷分离的协同效应，进而在硫铟铜/氧化钛异质结的基础上，进一步提升了复合材料的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN115888762A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310029982.6
申请日：2023-01-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法。该方法首先在预处理后的FTO导电玻璃上通过水热法生长氧化钛纳米棒阵列，然后通过溶剂热法在氧化钛表面外延生长金属离子掺杂的硫铟铜纳米颗粒，形成金属离子掺杂硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料。通过调控掺杂金属离子的种类与浓度，提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能。本发明方法简单易行，环境友好，金属离子的掺杂进一步增强了硫铟铜/氧化钛异质结复合材料的光吸收效率，增加活性位点，结合异质结构促进电荷分离的协同效应，进而在硫铟铜/氧化钛异质结的基础上，进一步提升了复合材料的光电化学性能。
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