公开(公告)号：CN111289832B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202010227900.5

申请日：2020-03-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  夏丽佳 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提出一种测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，包括如下步骤：步骤S1：制备不同厚度的三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S2：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜表面沉积一对圆形电极，获得测试样品；步骤S3：采用变温圆偏振光致电流测量系统，对不同厚度的测试样品进行变温圆偏振光致电流的测量，获得三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜在不同温度下的圆偏振光致电流。其提出的测算实验装置结构设计简单，易于操作，利于推广应用，试验结果准确，基于实证提出的方法能够简便快捷且有效地改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3的圆偏振光致电流随温度变化趋势。

公开(公告)号：CN111289832A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010227900.5

申请日：2020-03-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  夏丽佳 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提出一种测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，包括如下步骤：步骤S1：制备不同厚度的三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S2：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜表面沉积一对圆形电极，获得测试样品；步骤S3：采用变温圆偏振光致电流测量系统，对不同厚度的测试样品进行变温圆偏振光致电流的测量，获得三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜在不同温度下的圆偏振光致电流。其提出的测算实验装置结构设计简单，易于操作，利于推广应用，试验结果准确，基于实证提出的方法能够简便快捷且有效地改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3的圆偏振光致电流随温度变化趋势。