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公开(公告)号：CN117684208A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311578020.2
申请日：2023-11-24
Applicant: 福州大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂NiSe2纳米片/碳布电极材料及其制备方法，其制备方法包括：首先，将经过盐酸亲水化预处理后的碳布置于六水合硝酸镍、氯化铵、尿素的混合水溶液中水热反应，得到Ni(OH)2纳米片/碳布前体；然后，将硫粉、硒粉和Ni(OH)2纳米片/碳布前体分别放入管式炉中，利用化学气相沉积法制备获得硫掺杂NiSe2纳米片/碳布电极材料。本发明采用硫粉和硒粉同时升华，在单质硒与Ni(OH)2纳米片反应生成NiSe2纳米片的同时引入硫掺杂，得到硫掺杂NiSe2纳米片/碳布电极材料。通过调控硫的掺杂优化NiSe2电子结构，增加催化活性位点密度，从而提高材料电化学催化活性。
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