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公开(公告)号：CN117276314A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311304357.4
申请日：2023-10-10
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及一种沟槽与金属环复合终端结构的高压氧化镓肖特基二极管。在阳极边缘对氧化镓SBD的外延层进行刻蚀，形成沟槽结构，并在沟槽中淀积金属环，形成沟槽与金属环复合的终端结构。采用阶梯型终端将阳极边缘的电场集中点截断，减少了该区域过剩的氧化镓阳离子，从根源上减小了器件的峰值电场，金属环的加入能够更好的扩展耗尽区，使电场分布更加均匀，进一步提升器件的耐压能力和稳定性，并且可以采用与器件肖特基电极相同的金属，不需要离子注入等额外的工艺步骤，制作工艺简单，降低了器件的制造成本。
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