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公开(公告)号：CN113594247A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110868565.1
申请日：2021-07-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明包括从下至上设置的：衬底、成核层、缓冲层、势垒层，介质层，缓冲层和势垒层形成异质结结构，在材料极化效应下形成二维电子气沟道，势垒层上设有至少两个pGaN结构，其中第一pGaN结构为栅pGaN结构，上表面与栅极金属相连，其余pGaN依次间隔的设置在势垒层上，被介质层隔离开来。势垒层一端设置有源极金属，形成欧姆接触，另一端设置有漏极金属，形成欧姆接触，漏极金属与除第一pGaN结构的其余pGaN结构相连。正向导通时，与漏极金属相连的pGaN间隔下的二维电子气导电，器件开启电压小；反向阻断时，间隔处的二维电子气在反向偏置下迅速耗尽，形成耗尽区，提高器件阻断能力。
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公开(公告)号：CN113594247B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110868565.1
申请日：2021-07-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明包括从下至上设置的：衬底、成核层、缓冲层、势垒层，介质层，缓冲层和势垒层形成异质结结构，在材料极化效应下形成二维电子气沟道，势垒层上设有至少两个pGaN结构，其中第一pGaN结构为栅pGaN结构，上表面与栅极金属相连，其余pGaN依次间隔的设置在势垒层上，被介质层隔离开来。势垒层一端设置有源极金属，形成欧姆接触，另一端设置有漏极金属，形成欧姆接触，漏极金属与除第一pGaN结构的其余pGaN结构相连。正向导通时，与漏极金属相连的pGaN间隔下的二维电子气导电，器件开启电压小；反向阻断时，间隔处的二维电子气在反向偏置下迅速耗尽，形成耗尽区，提高器件阻断能力。
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公开(公告)号：CN114825263A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210582206.4
申请日：2022-05-26
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H02H3/08 , H02H1/00 , H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于功率半导体集成技术领域，涉及一种全氮化镓集成二级关断过流保护电路。本发明包括高压隔离及检测电路，消隐及延迟电路，判断电路，可调钳位电路，硬关断泄流电路。高压隔离电路及检测电路：关闭时用于逻辑电路与母线电压之间的隔离，工作时实现漏端电压监测；消隐电路：用于屏蔽器件开启时的栅信号抖动；判断电路：用于过流信号的判断；延时电路：用于信号延时；可控钳位电路：用于产生可调的钳位电压；硬关断泄流电路：用于实现器件的快速关断。本发明的全氮化镓集成二级关断过流保护电路能实现二级关断中各阶段的可控，从而能更好的抑制氮化镓功率器件关断时产生的漏源电压过冲，并与氮化镓工艺平台兼容。
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公开(公告)号：CN113725215A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111032078.8
申请日：2021-09-03
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L27/085 , H01L27/095 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术，特别涉及一种具有隔离结构的氮化镓集成电路，相对于传统的凹槽隔离，本发明在凹槽隔离结构内填充有p型半导体材料，填充的p型半导体材料与缓冲层形成耗尽区，实现对氮化镓集成电路模块的电学隔离；同时通过改变凹槽结构和填充物的形状、大小以及填充材料的掺杂浓度，可以与缓冲层形成不同大小和形状的耗尽区域,达到理想的隔离效应。本发明的效应效果：通过对缓冲层的耗尽可以达到良好的隔离效果；制备简单，实用性强，不引入额外的电流源或电压源。
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公开(公告)号：CN113644129A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110925423.4
申请日：2021-08-12
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台阶式依次减薄，在正向导通时，较薄的台阶处正向开启电压较小，使得器件开启电压减小。当器件处于反向阻断状态时，通过台阶式P型GaN漏极结构对沟道电场的调制，优化了反向阻断时漏极区域沟道电场分布，提升了器件逆向阻断电压。本发明的有益成果：对比传统的肖特基势垒漏极逆阻型HEMT器件，器件的逆向阻断电压提升，反向耐压时漏极区域沟道电场分布得到优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113644129B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110925423.4
申请日：2021-08-12
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台阶式依次减薄，在正向导通时，较薄的台阶处正向开启电压较小，使得器件开启电压减小。当器件处于反向阻断状态时，通过台阶式P型GaN漏极结构对沟道电场的调制，优化了反向阻断时漏极区域沟道电场分布，提升了器件逆向阻断电压。本发明的有益成果：对比传统的肖特基势垒漏极逆阻型HEMT器件，器件的逆向阻断电压提升，反向耐压时漏极区域沟道电场分布得到优化。
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公开(公告)号：CN114825263B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210582206.4
申请日：2022-05-26
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H02H3/08 , H02H1/00 , H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于功率半导体集成技术领域，涉及一种全氮化镓集成二级关断过流保护电路。本发明包括高压隔离及检测电路，消隐及延迟电路，判断电路，可调钳位电路，硬关断泄流电路。高压隔离电路及检测电路：关闭时用于逻辑电路与母线电压之间的隔离，工作时实现漏端电压监测；消隐电路：用于屏蔽器件开启时的栅信号抖动；判断电路：用于过流信号的判断；延时电路：用于信号延时；可控钳位电路：用于产生可调的钳位电压；硬关断泄流电路：用于实现器件的快速关断。本发明的全氮化镓集成二级关断过流保护电路能实现二级关断中各阶段的可控，从而能更好的抑制氮化镓功率器件关断时产生的漏源电压过冲，并与氮化镓工艺平台兼容。
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公开(公告)号：CN118366049A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410343312.6
申请日：2024-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V20/13 , G06V10/44 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0895 , G06V10/72
Abstract: 本发明公开了一种用于极轨卫星气象观测资料补全方法，属于空间科学和遥感技术领域。本发明采用自监督的训练策略，训练掩码与缺失区域具有相似分布模式，针对性地提升网络对极轨卫星缺失观测数据的补全结果，并且降低网络对标签数据的需求，可在不引入任何其他来源数据、不进行数据时空匹配的前提下训练网络；根据观测亮温数据受陆面辐射影响的特性，引入大陆轮廓先验知识，提升大片连续缺失数据以及海陆交界处缺失数据的补全效果。最后，使用门控卷积网络补全极轨卫星的观测数据，得到完整麦卡托投影下的格点数据。本发明在控制深度学习模型参数量和数据需求的基础上，利用数据的空间一致性及结合大陆轮廓，实现高准确地预测和补全观测数据。
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公开(公告)号：CN112803770A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110287200.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 一种自适应斜坡补偿电路，适用于电流控制模式的变换器中，通过采样并跟随变换器的电感电流实现自适应的斜坡补偿；通过引入成固定倍数的第一斜坡电压和第二斜坡电压，并且在电感电流检测期间，电感电流下降的两个时间点分别对第一斜坡电压和第二斜坡电压进行采样，然后通过测量两个采样电压值的大小关系来调控第一斜坡电压和第二斜坡电压的斜率，最终可以使得第一斜坡电压和第二斜坡电压的斜率与电感电流下降斜率的关系固定。另外实施例中通过在控制环路中引入延时模块，可以达到没有斜坡引入时的控制波形，从而避免了额外零极点的引入。
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公开(公告)号：CN111262436B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010189507.1
申请日：2020-03-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 一种自适应斜坡补偿的Buck变换器，第一跨导放大器将反馈电压与基准电压求差，得到原始控制电流；第二跨导放大器将反馈电压与基准电压求差，并通过将差值电流与第二电流源的电流叠加送到第二电容上，通过D触发器的Q输出端输出的信号控制第二开关，形成可变斜率的斜坡电压，再通过第四跨导放大器产生可变斜率的斜坡电流；第三跨导放大器根据第一电压源和地之间的电压差形成包含输出电压信息的电流；电流乘法器将原始控制电流乘以可变斜率的斜坡电流除以带输出电压信息的电流，得到带控制信息的自适应斜坡电流，再利用第一电阻将自适应斜坡电流转化成自适应斜坡电压信号接入第一比较器的正向输入端，比较信号控制驱动模块。
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