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公开(公告)号：CN119482760A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411606491.4
申请日：2024-11-12
Applicant: 国网新疆电力有限公司电力科学研究院 , 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种变流器惯性控制技术领域，是一种基于锁频环的并网变流器虚拟惯性控制装置、方法，包括虚拟惯性控制模块中引入三相锁频环和频率控制器，根据电网的频率变化得到d‑q轴的有功电流参考值和d‑q轴的无功电流参考值；电流环中引入改进的MPC算法，根据d‑q轴的有功电流参考值和d‑q轴的无功电流参考值，预测未来的电流轨迹，生成电压控制信号；PWM模块通过脉宽调制将电压控制信号转换为开关控制信号，并输出至并网变流器。本发明将感应电网频率变化与功率参考信号的有机结合，解决了传统锁相环结构在弱电网条件下的频率不稳定性问题，同时解决了单相锁频器存在大量纹波并对系统的惯性响应产生负面影响的问题。
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公开(公告)号：CN118820662A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410912352.8
申请日：2024-07-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于矩阵求解技术领域，具体为一种含矩阵预处理的多右端项矩阵求解方法。本发明先进行MFBIC预处理技术融入，采用for循环单独对每个右端项向量进行预处理，在求解迭代时，将这些预处理后的向量合并为一个矩阵，再按照BGMRES‑DR块迭代算法结合R准则一次输出所有近似解的块矩阵；在块迭代算法不收敛需要重启算法时，采用Krylov子空间扩大技术，消减与其相对应的最小特征值对收敛性造成的不良影响，从而加速收敛。本发明能够快速、准确地计算单站RCS不同激励方向的电磁参数，对多右端项的电磁问题进行有效提升电磁分析与仿真设计，进而为电子器件、飞机、无人机、导弹等实际工程问题的设计提供坚实的基础。
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公开(公告)号：CN118184958A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410429529.9
申请日：2024-04-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种具有自修复功能的高分子材料及其制备方法和应用。本发明具有自修复功能的高分子材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将异佛尔酮二异氰酸酯和聚醚二元醇预混合，之后加入三羟甲基丙烷和二羟甲基丙酸，回流，得到高分子量聚氨酯树脂；步骤二、将磷酸亚二乙酯加入到步骤一得到的高分子量聚氨酯树脂中，混合均匀后滴加硫醇，得到含有巯基的水性聚氨酯；步骤三、将碘化钠的过氧化氢溶液加入到步骤二得到的含有巯基的水性聚氨酯中，反应，得到含有双硫键的水性聚氨酯；步骤四、在步骤三得到的含有双硫键的水性聚氨酯中滴加金属离子氨络合物，得到含双硫键、锌离子的水性聚氨酯，即所述具有自修复功能的高分子材料。本发明制备的自修复高分子材料具有良好的低温、高效率修复功能，且自修复前后力学性能无明显变化，机械性能良好。
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公开(公告)号：CN115795765A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211662917.9
申请日：2022-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于计算电磁领域，涉及一种自适应采样的传输散射参数插值扫频方法。本发明基于有理函数拟合依据前步的结果，使用一段子区间内两次拟合函数各自积分的差值，更好的体现了区间内传输散射参数变化的程度，减少了拟合次数；有效的提高采样点的选取效率，既减少了多余的采样点的插入，也提高了对变化剧烈区段的拟合精度。在变化剧烈的区段，采样点不足时，两次拟合差别较大，本发明的自适应方法自然的会倾向于向该区段插入新的采样点；反之，变化平缓的区段，前后两次拟合的差别小，不需要再插入新的采样点；从而提高了插值扫频的效率和准确度。本发明有效解决了现有方法中自适应采样效果较差和复杂的问题。
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公开(公告)号：CN109190169B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201810869354.8
申请日：2018-08-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于三维时域电磁学数值求解技术领域，涉及一种三维时域电磁学杂交时域间断伽辽金数值方法，基于高阶叠层基函数。本发明将频域的杂交间断伽辽金法引入到时域中，并以一种更为简单的方式来形成全离散形式，以提升计算性能；构造高阶插值叠层基函数来获得高精度的数值模拟结果，然后构造p型多重网格的预处理来加速全局线性矩阵的求解，以提升计算性能。本发明求解非结构局部加密网格时，在保证高阶精度的前提下，提升了计算性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109657288A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811433201.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于三维时域电磁学数值求解技术领域，涉及一种三维显隐时域电磁学数值方法。本发明通过一种新的隐式时域杂交间断伽辽金来替换现有方法中采用的显隐通用的隐式求解算法，以获得较少的全局未知量，大大减少隐式待求全局矩阵的维数。最终利用这种显隐算法以高效地求解大规模多尺度的三维时域Maxwell方程组，在保证高阶精度的前提下，提升计算性能。
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公开(公告)号：CN107944141A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711187160.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F17/12
Abstract: 本发明公开一种基于杂交时域间断伽辽金法的时域计算电磁学数值方法，应用于时域计算电磁学数值求解领域，通过在相邻体单元交界面单元上引入一个杂交项，用来定义电磁场的数值通量，运用隐式的Crank-Nicolson时间格式对引入杂交项后的三维时域Maxwell方程组进行离散处理，得到只与杂交项有关的全局线性系统，通过求解杂交项，得到每个单元的电磁场，能有效避免现有时域电磁场数值方法在处理多尺度装备在复杂电磁环境下的计算时间、内存与精度的不足。
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公开(公告)号：CN117786974A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810675.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，公开了一种基于总剂量和强电磁脉冲耦合的FDSOI器件仿真方法，包括：基于第一电学特性文件和第一物理特性文件，确定FDSOI器件；对FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第一器件烧毁时间；对FDSOI器件进行总剂量仿真，得到总剂量仿真结果；根据总剂量仿真结果，确定更新后的FDSOI器件；对更新后的FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第二器件烧毁时间；通过比对第一器件烧毁时间和第二器件烧毁时间，确定总剂量和强电磁脉冲耦合对FDSOI器件的影响。通过这种方式，可以准确获得空间中器件真实的抗电磁效应能力，从而精确获得空间中的器件的使用寿命，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN116305815A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310102552.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于频域电磁学数值求解技术领域，具体为一种适用于多重遮挡电磁散射的物理光学法。本发明采用三层嵌套来多面提升物理光学法的计算效率，从等效原理出发，恰当构造雷达散射截面的计算形式，充分考虑多重遮挡或者不同角度斜入射的实际情况，对于复杂模型的相互遮挡、不同角度入射波的情形，能够有效求出实际的亮区区域，进而求解雷达散射截面，对于物理光学法的多重物体遮挡问题提出了一种可行的方案。相比传统的物理光学法，能够有效的处理目标遮挡，尤其是针对复杂的多个物体遮挡的物理模型，能够快速、准确求解雷达散射截面，便于分析相应的电磁参数、有效提升仿真设计。
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公开(公告)号：CN109657288B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201811433201.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于三维时域电磁学数值求解技术领域，涉及一种三维显隐时域电磁学数值方法。本发明通过一种新的隐式时域杂交间断伽辽金来替换现有方法中采用的显隐通用的隐式求解算法，以获得较少的全局未知量，大大减少隐式待求全局矩阵的维数。最终利用这种显隐算法以高效地求解大规模多尺度的三维时域Maxwell方程组，在保证高阶精度的前提下，提升计算性能。
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