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公开(公告)号：CN119653848A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411845805.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种新型碳化硅功率器件金属接触的制备方法，具体提供一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应功率晶体管的制备方法，用以简化制备工艺、降低制备成本、缩短制造周期，尤其适用于大规模工业化生产。本发明在器件电极制备过程中将肖特基接触孔和栅极接触孔利用一张掩膜版经过一次刻蚀工艺制作完成，在源极上方通过一道光刻板使用镍金属实现欧姆接触，在肖特基区和栅极上方通过一道光刻板使用钛金属形成肖特基接触，能够保证欧姆接触和肖特基接触都达到良好的性能，且在大规模生产当中不仅节约了制造的成本，同时也降低了器件的制造周期。
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公开(公告)号：CN114823858B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210462466.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L23/373
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体提供新型结构氧化镓场效应晶体管功率器件，包括：具有高耐压和低比导通电阻的氧化镓横向场效应功率晶体管，具有正阈值电压和小泄漏电流的氧化镓结型场效应晶体管，以及具有高耐压、正阈值电压和小泄漏电流的氧化镓绝缘栅场效应晶体管功率器件；采用高K介质层实现在相同的漂移区长度下获得更高的耐压，或者引入P型金刚石(或氮化铝、氧化镍)区实现在相同的漂移区长度及更高的漂移区掺杂浓度下提高横向场效应功率晶体管的耐压、减小比导通电阻；并且，利用P型金刚石(或氮化铝、氧化镍)区分别代替传统金属栅材料得到正阈值电压和小泄漏电流的器件，金刚石和氮化铝的引入也提高了散热能力，改善器件的性能。
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公开(公告)号：CN115602734A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211410261.1
申请日：2022-11-11
Applicant: 电子科技大学(CN)
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体提供了高正向电流密度的新型碳化硅功率二极管，用以克服现有功率二极管正向导通性能与方向性能的制约关系。本发明在现有的结势垒肖特基二极管的基础上，通过分次离子注入工艺，增大了第二导电类型掺杂区的间距，实现了在不改变器件耐压水平的前提下有效提高电流密度；或者通过刻蚀沟槽后用多晶硅区域来替代第二导电类型掺杂区和肖特基接触，实现了器件更大的电流密度，更小的泄漏电流和更多的导通压降选择；综上，本发明在不牺牲反向性能的前提下，有效提升了器件的正向导通性能，有效改善了器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN110504324B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910742008.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 一种高压瞬态电压抑制二极管，属于半导体器件技术领域。包括第一导电类型掺杂区，位于第一导电类型掺杂区下方的第二导电类型掺杂区，位于第二导电类型掺杂区下方的第二导电类型轻掺杂外延层，位于第二导电类型轻掺杂外延层之中、远离第二导电类型掺杂区一侧的梳状结构的第一金属阴极，完全覆盖第一金属阴极表面的第一导电类型注入区，与第二导电类型轻掺杂外延层肖特基接触的第二金属阴极，位于第一导电类型掺杂区上方的金属阳极。本发明结构可有效提高二极管的击穿电流，改善器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110739345A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910813746.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件领域，尤其涉及分裂栅沟槽型MOS器件，具体为自偏置分裂栅沟槽型功率MOSFET器件；本发明在传统的分裂栅沟槽型MOS器件基础上引入自偏置电压结构，利用栅极控制信号给分裂栅提供自偏置电压，与传统分裂栅沟槽型MOS器件相比，由于自偏置电压的作用，在器件导通时产生了积累层，使器件的比导通电阻有极大的降低。本说明书中，分裂栅自偏置电压的实现分为两种方式，分别为增加外部电路和增加可提供偏置电压的结构，前者的偏置电压来源于栅极的驱动电路，与前者相比，后者具有减少驱动功耗的优势。
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公开(公告)号：CN114823858A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210462466.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L23/373
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体提供新型结构氧化镓场效应晶体管功率器件，包括：具有高耐压和低比导通电阻的氧化镓横向场效应功率晶体管，具有正阈值电压和小泄漏电流的氧化镓结型场效应晶体管，以及具有高耐压、正阈值电压和小泄漏电流的氧化镓绝缘栅场效应晶体管功率器件；采用高K介质层实现在相同的漂移区长度下获得更高的耐压，或者引入P型金刚石(或氮化铝、氧化镍)区实现在相同的漂移区长度及更高的漂移区掺杂浓度下提高横向场效应功率晶体管的耐压、减小比导通电阻；并且，利用P型金刚石(或氮化铝、氧化镍)区分别代替传统金属栅材料得到正阈值电压和小泄漏电流的器件，金刚石和氮化铝的引入也提高了散热能力，改善器件的性能。
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公开(公告)号：CN112420694A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011227580.X
申请日：2020-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/07 , H01L29/808
Abstract: 一种集成反向肖特基续流二极管的可逆导碳化硅JFET功率器件，属于半导体功率器件技术领域。所述功率器件包括N型漂移区、位于N型漂移区上表面的正面结构和位于漂移区下表面的背面结构，背面结构包括N型漏极区，以及与N型漏极区欧姆接触的金属化漏极，正面结构包括N型源极区，以及与N型源极区欧姆接触的金属化源极。相较于现有的结构，本发明功率器件可以获得较高的沟道迁移率、较低的导通电阻，集成反向续流的肖特基势垒二极管有效提高了器件的集成度，降低了应用成本。
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公开(公告)号：CN107346963B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710555722.7
申请日：2017-07-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于信号变换技术领域，具体的说是涉及一种脉宽变换电路和延时电路。本发明的基本原理是利用电容对电流源电路产生的恒定电流信号进行积分，采用需要进行脉宽变换的信号控制与电容并联的PMOS管的栅极，以控制电容电压的变化，并通过电压检测电路和整形电路，实现脉宽变换，同时由该脉宽变换电路衍生一种延时电路。本发明的有益效果是：电路结构简单，能够精确对脉宽进行调整，同时能采用小电容实现精准的长延时。
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