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公开(公告)号：CN114726352A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111661676.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 鹿嶋一生 , 津田敦史
IPC: H03K17/22
Abstract: 本申请涉及半导体器件。旨在提供一种用于检测通电复位电路的低电压的技术。半导体器件具有通电复位电路，通电复位电路包括：第一双极晶体管；通过并联连接多个双极晶体管形成的第二双极晶体管；检测电压调节电阻元件；温度特性调节电阻元件；电流调节电阻元件；和比较器。
