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公开(公告)号：CN111448275B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201880079499.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B7/06 , B32B27/00 , C09J11/00 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种粘合性层叠体，其具备热膨胀性的粘合片(I)和树脂膜形成用片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)，且任意层中包含热膨胀性粒子，所述树脂膜形成用片(II)具有基材(Y2)及固化性树脂层(Z2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，且用于在实施给定加工时将加工对象物固定于支撑体，其中，通过在上述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，能够在粘合片(I)与树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。
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公开(公告)号：CN112203840A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201880077482.7
申请日：2018-12-07
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种粘合性层叠体，其具备：热膨胀性的粘合片(I)、以及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)，且任意层中包含膨胀起始温度(t)为60～270℃的热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)，且在基材(Y2)的一个表面侧具有粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，通过在膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。
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公开(公告)号：CN111448275A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079499.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B7/06 , B32B27/00 , C09J11/00 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种粘合性层叠体，其具备热膨胀性的粘合片(I)和树脂膜形成用片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)，且任意层中包含热膨胀性粒子，所述树脂膜形成用片(II)具有基材(Y2)及固化性树脂层(Z2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，且用于在实施给定加工时将加工对象物固定于支撑体，其中，通过在上述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，能够在粘合片(I)与树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。
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公开(公告)号：CN110462816B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880022421.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供具有下述工序(1)～(4)的半导体装置的制造方法、以及该制造方法所使用的粘合片，所述半导体装置的制造方法是使用粘合片制造半导体装置的方法，所述粘合片具有粘合剂层、以及包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材。工序(1)：将形成有开口部的框构件粘贴于粘合剂层的粘合表面的工序；工序(2)：将半导体芯片放置于在所述框构件的所述开口部露出的所述粘合剂层的粘合表面的一部分的工序；工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、所述框构件、以及所述粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序；工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述粘合片的工序。本发明可以抑制扇出型封装的制造工序中半导体芯片发生位置偏移，生产性优异，得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异。
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公开(公告)号：CN111902508B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201980022130.6
申请日：2019-03-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/35 , C09J7/29 , C09J7/38 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J201/00 , B32B27/00 , B32B27/20 , C09J7/20
Abstract: 本发明涉及一种粘合性层叠体，其具备：具有基材(Y)及粘合剂层(X)且在任意层包含膨胀性粒子的膨胀性的粘合片(I)、和具有热固性树脂层(Z)的固化树脂膜形成用片(II)，且粘合片(I)和固化树脂膜形成用片(II)的热固性树脂层(Z)直接层叠在一起，其中，该粘合性层叠体通过使所述膨胀性粒子膨胀的处理而在粘合片(I)与固化树脂膜形成用片(II)的界面P分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112789334B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201880098044.9
申请日：2018-10-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其具有能量射线固化性树脂层(I)、和支撑该能量射线固化性树脂层(I)的支撑层(II)，上述能量射线固化性树脂层(I)包含具有粘合性的表面，上述支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层，该基材(Y)及粘合剂层中的至少一者含有热膨胀性粒子，由上述能量射线固化性树脂层(I)固化而成的固化树脂层(I')和上述支撑层(II)通过使上述热膨胀性粒子膨胀的处理而在其界面分离。
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公开(公告)号：CN110998799A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051111.1
申请日：2018-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J5/00
Abstract: 本发明提供具有以下的工序(I)及(II)的加工检查对象物的加热剥离方法。工序(I)：将多个加工检查对象物粘贴于粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序，所述粘合片具有包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性的热膨胀性基材、和粘合剂层(X1)；工序(II)：将所述热膨胀性基材的一部分加热至所述热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上，将所述多个加工检查对象物中的一部分选择性剥离的工序。
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公开(公告)号：CN111837219B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980018435.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/38 , H01L21/301 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种加工品的制造方法，其是使用粘合性层叠体来制造加工品的方法，所述粘合性层叠体具备热膨胀性的粘合片(I)、及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、并且在任意层中包含热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，所述加工品的制造方法依次具有：工序(1)，将所述粘合性层叠体的粘合剂层(X1)的表面粘贴于支撑体，并且将加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面；工序(2)，对所述加工对象物实施一种以上的加工；工序(3)，通过在所述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的加热，在保持将所述加工对象物粘贴于所述粘合性层叠体的粘合剂层(X2)的表面的状态的同时，将所述粘合性层叠体在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P进行分离；并且在工序(2)中或在工序(3)之后进一步实施工序(4)，所述工序(4)是对所述加工对象物的与和粘合剂层(X2)的粘贴面相反侧的表面实施切削及磨削中的至少任一种加工。
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公开(公告)号：CN110476241B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201880022512.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/12 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供具有下述工序(1)～(4)的半导体装置的制造方法、以及该制造方法所使用的双面粘合片，所述半导体装置的制造方法是使用双面粘合片制造半导体装置的方法，所述双面粘合片依次具有第1粘合剂层、包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材、以及第2粘合剂层。工序(1)：将硬质支撑体粘贴于第2粘合剂层的粘合表面的工序。工序(2)：将半导体芯片放置于第1粘合剂层的粘合表面的一部分的工序。工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、以及第1粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序。工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述双面粘合片的工序。本发明可以抑制扇出型的封装的制造工序中半导体芯片发生位置偏移，生产性优异，得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异。
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公开(公告)号：CN110462816A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880022421.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供具有下述工序(1)～(4)的半导体装置的制造方法、以及该制造方法所使用的粘合片，所述半导体装置的制造方法是使用粘合片制造半导体装置的方法，所述粘合片具有粘合剂层、以及包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材。工序(1)：将形成有开口部的框构件粘贴于粘合剂层的粘合表面的工序；工序(2)：将半导体芯片放置于在所述框构件的所述开口部露出的所述粘合剂层的粘合表面的一部分的工序；工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、所述框构件、以及所述粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序；工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述粘合片的工序。本发明可以抑制扇出型封装的制造工序中半导体芯片发生位置偏移，生产性优异，得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异。
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