一种提高碳化物衍生碳结构有序性的方法

    公开(公告)号:CN102583317A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210040280.X

    申请日:2012-02-22

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种提高碳化物衍生碳结构有序性的方法,首先将碳化钛粉体放入高能球磨机中,球磨时的球料比为4:1~6:1,球磨机的转速为180~220转/分,球磨时间为5~10小时,碳化钛粉体粒径被破碎细化至0.8~2.0μm;然后将上述球磨后的碳化钛粉体放入熔融石英管式炉中,抽真空至0.05~1Pa后,通入氩气,将管式炉升温至600~800℃,再通入氯气,流速为20~30ml/min,时间为1~2小时,反应结束后再次通入氩气,利用氩气流的冲刷作用去除碳化钛粉体表面残留的四氯化钛等氯化物,冷却是室温后即可获得具有较高结构有序性的碳化物衍生碳。本发明工艺简便,反应设备简单,能明显提高碳化物衍生碳结构的有序性。

    一种提高碳化物衍生碳结构有序性的方法

    公开(公告)号:CN102786044A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210229005.2

    申请日:2012-07-04

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种提高碳化物衍生碳结构有序性的方法,主要是将反应原料碳化硅粉体与纯铁粉体按照5~10:1的质量比放入高能球磨机中进行球磨混合处理,球料比为5~7:1,球磨机的转速为220~260转/分,球磨时间为8~12小时;然后将上述混合后的原料粉体放入熔融石英管式炉中,抽真空至0.05~1Pa后,通入氩气,将管式炉升温至800~1000℃,再通入氯气,流速为20~30ml/min,时间为2~3小时,反应结束后再次通入氩气,利用氩气流的冲刷作用去除碳化硅粉体表面残留的四氯化硅等氯化物,冷却至室温。本发明工艺简便,效果显著,能明显提高碳化物衍生碳的结构有序性。

    一种调控碳化物衍生碳孔结构的方法

    公开(公告)号:CN102786043A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210228954.9

    申请日:2012-07-04

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种调控碳化物衍生碳孔结构的的方法,首先将碳化钛粉体放入高能球磨机中,球磨时的球料比为6~8:1,球磨机的转速为240~280转/分,球磨时间为8~12小时,碳化钛粉体粒径被破碎细化至0.6~1.2μm;然后将上述球磨后的碳化钛粉体放入熔融石英管式炉中,抽真空至0.05~1Pa后,通入氩气,将管式炉升温至600~1000℃,再通入氯气,流速为20~30ml/min,时间为1~3小时,反应结束后再次通入氩气,利用氩气流的冲刷作用去除碳化钛粉体表面残留的四氯化钛等氯化物,冷却至室温。本发明工艺简便,反应设备简单,可对CDC的孔结构进行有效控制,并能有效解决中孔出现时比表面急剧降低的问题。

    一种富含纳米金刚石结构的碳材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102583316A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210040278.2

    申请日:2012-02-22

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种富含纳米金刚石结构的碳材料的制备方法,首先将碳化钛粉体放入高能球磨机中进行球磨预处理,球磨时的球料比为4:1~6:1,球磨机的转速为180~220转/分,球磨时间为5~20小时,碳化钛粉体粒径被破碎细化至0.5~2.0μm;然后,将上述球磨后的碳化钛粉体放入熔融石英管式炉中,抽真空至0.05~1Pa后,通入氩气,将管式炉升温至900~1200℃,再以20~30ml/min的流速通入氯气,氯化时间为1~2h,反应结束后再次通入氩气,随炉冷却至室温。本发明优点是合成工艺简单、效率高,可大量制备富含粒径为5~10纳米的纳米金刚石的碳材料。

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