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公开(公告)号：CN119575560A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411670599.X
申请日：2024-11-21
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本发明公开了一体化微型光纤反射基板及其制造方法，属于光纤反射基板技术领域，解决了数问题影响光纤反射镜的性能，也对光纤通信和光纤传感系统稳定运行构成威胁的问题。包括基片，基片上开设有矩形槽，基片上开设有位于矩形槽末端的V型槽，矩形槽与V型槽垂直设置，矩形槽的末端未超过V型槽的槽底设置，V型槽的内壁设置为反射面，矩形槽内用于设置光纤，且矩形槽内用于填充UV环氧胶以固定光纤。本发明结构微型化，减少光路中的胶水填充和空气间隙，以降低对光学性能影响，应用范围更广，使器件集成度更高，高精度的矩形固定槽，光纤固定可靠性更高，反射面与与基片一体化，提高反射光束的稳定性和精度，防止其移位，从而确保光线的准确反射。
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公开(公告)号：CN119457519A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411687480.3
申请日：2024-11-25
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: B23K26/70 , B23K26/362 , B23K26/402 , B23K26/14
Abstract: 本发明公开了剥落式激光划切晶圆的承载平台及其方法，涉及晶圆划切领域，其技术方案要点是：包括包括承载平台外壳、线性运动装置、微型机械臂装置、晶粒收集器，承载平台外壳上用于放置待划切晶圆，线性运动装置安装在承载平台外壳上，微型机械臂装置安装在线性运动装置上且位于待划切晶圆下方，晶粒收集器安装在微型机械臂装置下方。本发明通过设置末端执行器在到达晶粒中心位置后，开启真空吸附可将晶粒牢牢固定，当激光切割头进行加工伴随辅助气体吹气时，可保持晶粒固定，提高激光头划切走线时的切割精度，保证晶粒不被吹落损伤。
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公开(公告)号：CN117505371A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311631170.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本发明公开了一种针对氮化铝陶瓷基板自动化清洗装置及其方法，所述清洗装置本体包括：第一清洗机构、第二清洗机构、可移动清洗单元、烘干机构和电路单元；所述电路单元控制第一清洗机构、第二清洗机构、可拆卸清洗机构和烘干机构的联动，其中：所述第一清洗机构通过清洗液去除激光切割后氮化铝陶瓷基板上的杂质或黑边；所述第二清洗机构通过喷淋方式对氮化铝陶瓷基板进行冲洗；所述烘干机构通过加热方式对氮化铝陶瓷基板表面烘干备用；所述可移动清洗机构根据清洗要求将氮化铝陶瓷基板送至指定位置；所述可移动清洗机构包括清洗花篮和抓取机构，所述抓取机构接收电路单元的指令，并进行360°旋转将所述清洗花篮送至指定位置；本发明解决传统技术人工清洗效率低、清洗效果差，清洗功能分散的技术问题。
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公开(公告)号：CN118050847A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311702093.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: G02B6/08
Abstract: 本发明公开了一种双面错排式V型槽结构的多层光纤阵列，包括光纤阵列本体，光纤阵列本体由多组玻璃基板依次层叠组成，每个玻璃基板上下两个表面沿长度方向均匀开设有N排用于安放光纤的V型槽，上表面的V型槽和下表面的V型槽错位排列。本发明公开的一种双面错排式V型槽结构的多层光纤阵列，通过二维多层堆叠式结构布局，有效减小一维光线阵列体积，双面V型槽进一步提高二维尺度下的光纤利用率，使光纤排列更加紧密；采用短脉冲超快激光技术对玻璃基板进行基准制作，实现双面V槽基准统一，极大提高单层玻璃基板上双面V槽的相互位置精度。
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公开(公告)号：CN117696514A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311582851.7
申请日：2023-11-24
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于激光切割AlN陶瓷基板的黑边清洗方法，用于清洗激光切割后AlN陶瓷基板产生的黑边，包括步骤S1：将激光切割后的AlN陶瓷基板完全浸泡在预设浓度的氢氧化钾溶液中，并且根据氢氧化钾溶液的预设浓度设置匹配的第一浸泡时间。本发明公开的一种用于激光切割AlN陶瓷基板的黑边清洗方法，在清洗过程中采用碱性溶液、有机溶剂和超纯水对AlN陶瓷基板进行大批量清洗，能够有效的去除附着于AlN陶瓷边缘的Al单质黑边，且步骤简单方便，清洗效果理想，而且不会对AlN陶瓷表面造成损伤，清洗后的AlN陶瓷基板完全满足正常工艺的要求，达到清洗效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119620297A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411854277.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本申请涉及一种多芯光纤精确排列的制造方法，通过辅助装配装置本体来实现，辅助装配装置本体的平台上纵列设置若干固定柱，平台上的Y轴滑轨与XZ轴运动滑台滑动连接，XZ轴运动滑台上端固设显微镜，显微镜的物镜的外圆周端连接环形照明灯，固定柱上端分别固设轴向连接一体的前端限位法兰固定夹具、末端限位法兰固定夹具和定形限位法兰固定夹具，前端限位法兰的六个通孔、末端固定法兰的六个通孔和定形限位法兰的等边的五边孔中轴线一致。本申请具有采用精确的限位阵列孔的形式代替单纯毛细管内壁进行限制，可以将拥有不同属性或者不同外径的光纤按照特定的顺序排列的效果。
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公开(公告)号：CN115837715A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211517433.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本发明公开了一种冲压式条状晶片裂片机，包括设备主体机架，设备主体机架上设有升降机构和气缸冲压装置，升降机构与设备主体机架固定连接，气缸冲压装置固定在升降机构上，气缸冲压装置的下端设有冲压器位置调节装置和晶片冲压压紧机构，设备主体机架上设有晶片导向装置、晶片支撑台和晶片输送装置，晶片支撑台用于支持晶片，晶片导向装置位于晶片支撑台的一端，晶片输送装置位于晶片导向装置的下方，晶片输送装置用于推动晶片移动，晶片导向装置用于引导晶片的移动方向，以使晶片能够进入到晶片支撑台上，本发明结构合理，通过自动冲压的方法对晶片上的晶粒进行点冲分离，使得晶片上的晶粒都能独立分开。
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公开(公告)号：CN117564500A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311653657.3
申请日：2023-12-05
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: B23K26/38
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化铝切面质量的激光切割方法，其它包括以下步骤：(1)、根据待切割的氮化铝陶瓷基片形状、尺寸选取合适对准基点，通过对准基点确定氮化铝陶瓷基片在实际加工平台中的位置；(2)、根据陶瓷基片实际厚度计算重复切割次数F；(3)、确定每次切割深度；(4)、将氮化铝陶瓷基片固定在激光切割设备的承载平台中，采用低功率激光沿切割路径进行重复切割，通过低功率激光慢走刀的方式，对切割路径进行重复切割。它可以针对3mm至8mm厚度的不同厚度的氮化铝陶瓷基片在低功率模式下采用分层复切方法，根据每层切割深度调节最优切割速度，有效降低了切面粗糙度，同时切面两侧的裂纹较少，显著提升切面质量。
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公开(公告)号：CN221019229U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202322629252.8
申请日：2023-09-27
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: B23K26/70 , B23K26/402 , B23K26/38
Abstract: 本实用新型公开了一种新型玻璃晶圆激光切割的承载装置，包括平台底座，平台底座的上方设有负压腔侧壁，负压腔侧壁的上端面固设有晶圆支撑架，负压腔侧壁呈圆环状，负压腔侧壁的底面与平台底座之间固定连接，且负压腔侧壁与平台底座的连接处密封，平台底座的底部设有泄压阀门，泄压阀门与负压腔侧壁所包围的空间相通，负压腔侧壁的一侧还安装有抽气阀门，抽气阀门与负压腔侧壁所包围的空间相通，本实用新型结构合理，抽气阀门一端与真空泵连接，设备工作时持续抽气，同时可调节泄压阀门来控制真空腔体内部与外界大气压差，实现对晶圆的固定，且晶圆与支撑装置之间的负压不会过大，防止爆炸。
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公开(公告)号：CN219294402U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202223187986.7
申请日：2022-11-30
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种冲压式条状晶片裂片机，包括设备主体机架，设备主体机架上设有升降机构和气缸冲压装置，升降机构与设备主体机架固定连接，气缸冲压装置固定在升降机构上，气缸冲压装置的下端设有冲压器位置调节装置和晶片冲压压紧机构，设备主体机架上设有晶片导向装置、晶片支撑台和晶片输送装置，晶片支撑台用于支持晶片，晶片导向装置位于晶片支撑台的一端，晶片输送装置位于晶片导向装置的下方，晶片输送装置用于推动晶片移动，晶片导向装置用于引导晶片的移动方向，以使晶片能够进入到晶片支撑台上，本实用新型结构合理，通过自动冲压的方法对晶片上的晶粒进行点冲分离，使得晶片上的晶粒都能独立分开。
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