公开(公告)号：CN117832063A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410014454.8

申请日：2024-01-03

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 杨艳伟 ,  黄渊超 ,  童周宇 ,  皮孝东 ,  杨德仁

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种制备纯硅涂层的方法以及基底涂层复合结构、晶圆片，通过在基底表面形成二维半导体材料层；将二维半导体材料层表面浸入具有硅源的液体环境，利用所述二维半导体材料层吸附硅源，使得在富硅的环境下在所述二维半导体材料层表面形成纯硅涂层。二维半导体材料的引入一方面可以填补基底表面的凹坑，另一方面可以显著降低纯硅涂层表面的孪晶数量，提升涂层质量。

公开(公告)号：CN112934007B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110198456.3

申请日：2021-02-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王正宝 ,  武晓珂 ,  尹正驰 ,  杨艳伟 ,  张华宇 ,  李汪涛

IPC: B01D69/12 ,  B01D67/00 ,  B01D71/06 ,  B01D53/22

Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑8前驱体转化制备ZIF‑8/GO复合气体分离膜的方法。ZIF‑8前驱体与GO片在混合过程中形成均匀且结合力良好的前驱体层，制作的前驱体层在配体溶液中加热处理后直接转化为ZIF‑8/GO复合膜。本发明操作简单，合成的复合膜H2/CO2分离性能优良、适合规模化生产。这种前驱体转化策略效果有望适用于其他微孔材料/GO体系。

公开(公告)号：CN112934007A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110198456.3

申请日：2021-02-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王正宝 ,  武晓珂 ,  尹正驰 ,  杨艳伟 ,  张华宇 ,  李汪涛

IPC: B01D69/12 ,  B01D67/00 ,  B01D71/06 ,  B01D53/22

Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑8前驱体转化制备ZIF‑8/GO复合气体分离膜的方法。ZIF‑8前驱体与GO片在混合过程中形成均匀且结合力良好的前驱体层，制作的前驱体层在配体溶液中加热处理后直接转化为ZIF‑8/GO复合膜。本发明操作简单，合成的复合膜H2/CO2分离性能优良、适合规模化生产。这种前驱体转化策略效果有望适用于其他微孔材料/GO体系。

公开(公告)号：CN117210934A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311297702.6

申请日：2023-10-08

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 杨艳伟 ,  黄渊超 ,  童周禹 ,  皮孝东 ,  杨德仁

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅生长技术领域，公开了一种碳化硅生长进料装置，通过手套箱的方式将初始原料混合进料，然后将其在碳化硅单晶生长装置的内部通过高温反应生成所需要的碳化硅原粉，再进行后续的长晶过程。由于生长碳化硅原粉和生长碳化硅单晶的整个过程是在手套箱和碳化硅单晶生长装置的内部完成，碳化硅原粉不会接触外部空气，因此所得到的碳化硅原粉内部不含有空气中的杂质成分，具备较高的纯度，从而可以得到高纯度的碳化硅单晶，且缺陷较少。