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公开(公告)号：CN116632064A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310590650.5
申请日：2023-05-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/48 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及制造方法，包括若干组第一元胞结构以及至少一组带有电极引出结构的第二元胞结构，第一元胞结构和第二元胞结构包含有共同的衬底层、缓冲层和漂移层，第一元胞结构还包括源极结构以及位于源极结构两侧的半个栅极结构，栅极结构和源极结构相间排布在漂移层上，栅极结构设置在第一元胞结构的边缘位置，每间隔一定数量的第一元胞结构与相邻的第一元胞结构之间插入设置有第二元胞结构，且若干组第一元胞结构与第二元胞结构均为紧密排布的多边形元胞结构，通过对栅极保护用P型屏蔽区的电位进行单独控制，提高对器件栅氧层的保护能力，同时实现器件的可靠开通与关断。
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