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公开(公告)号：CN113391397A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110637053.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法。包括：离子交换处理在玻璃基片正面制作表面离子掺杂区、在玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的外部阻挡层、以及电场辅助离子迁移处理将表面离子掺杂区制作成掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，玻璃基片背面高电阻率的外部阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征，抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势，提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性。
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公开(公告)号：CN111487718B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202010386539.0
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN111487717A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386136.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本发明可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN113391396B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110637036.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种在玻璃基片背面采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法。包括：将玻璃基片置于含K+熔盐中进行离子交换处理，在所述玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层；通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理，在背面带有内阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，玻璃基片背面高电阻率的内阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征，抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势，提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性。
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公开(公告)号：CN113391397B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202110637053.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/134
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113391396A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110637036.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种在玻璃基片背面采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法。包括：将玻璃基片置于含K+熔盐中进行离子交换处理，在所述玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层；通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理，在背面带有内阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，玻璃基片背面高电阻率的内阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征，抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势，提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性。
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公开(公告)号：CN111487718A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386539.0
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN119389706A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411440305.4
申请日：2024-10-15
Applicant: 浙江大学湖州研究院
Abstract: 本发明公开一种基于时分复用的皮带输送轮故障光纤检测系统，宽谱光源输出的脉冲方波光，经单模光纤三端环形器输出，依次经过n个具有不同分光比例的1×2光纤分束器，每个1×2光纤分束器的主输出端通过一段光纤连接到下一个1×2光纤分束器的输入端，每个1×2光纤分束器的小比例输出端口连接一个由1:1的1×2单模耦合器、光纤传感环和光纤延迟及退偏环组成的Sagnac干涉仪，光纤传感环感应传输皮带的一个支撑轮毂的声波信号；脉冲光的宽度等于二个1×2光纤分束器之间连接光纤的光传播时间，n个1×2光纤分束器以特定公式按不同分光比例分光，一个脉冲方波光将有n个幅度相等的光脉冲返回至三端环形器，并由光电探测器变为电信号。
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公开(公告)号：CN117516750A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311357547.2
申请日：2023-10-19
Applicant: 浙江浙能长兴发电有限公司 , 浙江大学湖州研究院
IPC: G01K11/32 , G01K11/324
Abstract: 本发明提供了一种基于光纤测温的发热电缆的温度场测量实验装置，包括上位机、数据线、激光发射采集装置、测温光纤和电缆发热模拟测量装置；上位机通过数据线与激光发射采集装置连接，激光发射采集装置与测温光纤连接，测温光纤安装在电缆发热模拟测量装置中。本发明能够通过电机精准移动光纤，测量线性发热模块不同径向距离下的温度场分布情况，从而模拟出发热电缆周围的温度场分布情况。并且，能够根据现场电缆型号的不同，改变装置内线性发热模块的温度，从而模拟出不同电缆的发热情况。
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公开(公告)号：CN115113339A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210886392.0
申请日：2022-07-26
Applicant: 浙江大学湖州研究院
Abstract: 本发明公开一种偏振无关的低损耗光开关，用以解决传统光开关对于偏振的相关依赖性以及损耗高等问题。系统的光源经前端单模光纤环形器输出到2×2保偏光纤耦合器，2×2保偏光纤耦合器与PZT、保偏光纤、微型光纤转盘等组成后端的环状结构，用于保持或改变输入光的偏振特性，具体地，通过微型光纤转盘转动保偏光纤之间的主轴夹角，可改变微型光纤转盘对接的两光纤端面的耦合特性，对于设定光频率的光进行开关；在此基础上还可实现耦合器的不同强度的分光功能。通过对PZT施加控制电压可以改变保偏光纤的双折射，可以对于某个频率光波进行快速开关。本发明的输入输出关系与输入光的偏振态没有关系。本发明为光纤器件结构，与波导型光开关相比减少了光的损耗。
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