公开(公告)号：CN108545777A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810480682.9

申请日：2018-05-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 刘晓静 ,  赵刚 ,  蒋丽 ,  段新平 ,  刘子年 ,  徐锡金

IPC: C01G39/06 ,  C01G15/00 ,  G01N27/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种锑-铈修饰二硫化钼/氧化铟气敏材料及其制备方法，属于传感器气敏材料制备领域。所述气敏材料由锑元素、铈元素、二硫化钼、氧化铟构成，氧化铟颗粒附着在二硫化钼片层表面构成MoS2/In2O3纳米复合体，锑和铈原子位于MoS2/In2O3纳米复合体的晶格内；所述制备所述包括（1）水热法合成MoS2/In2O3纳米复合材料；（2）在保护气氛下，将锑源、铈源与MoS2/In2O3纳米复合材料水热反应、离心、干燥、煅烧，即得。本发明通过锑、铈的引入有效降低了被测气体的化学吸附的活化能，大大提高了氧化铟半导体气敏材料的比表面积和导电性，增强了气体分子与材料间的电荷转移，得到了具有优异的气敏材料。