公开(公告)号：CN115074670A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210703529.4

申请日：2022-06-21

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  李玉芬 ,  孙德辉 ,  周伟家 ,  刘宏

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/30 ,  C23C14/26 ,  C23C14/35 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种二硒化钯的制备方法，包括以下步骤：(1)在基底表面进行钯金属镀膜，得到基底/钯薄膜；(2)在基底/钯薄膜的表面旋涂含硒分散液，干燥后在保护气氛中，利用等离子体辅助热退火制备得到二硒化钯薄膜。所述制备方法还包括：将步骤(2)得到的二硒化钯薄膜转移至目标基底的步骤。本发明利用钯薄膜蒸镀‑硒分子涂覆‑加热反应制备二硒化钯薄膜的方法，不但钯金属膜与硒分子膜固相反应制备方法简单直接、生长速率快，而且利用了钯薄膜前驱体的完整涂覆特点，可以得到完整的二硒化钯薄膜，可获取晶圆级二硒化钯的规模化生产。

公开(公告)号：CN115074670B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202210703529.4

申请日：2022-06-21

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  李玉芬 ,  孙德辉 ,  周伟家 ,  刘宏

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/30 ,  C23C14/26 ,  C23C14/35 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种二硒化钯的制备方法，包括以下步骤：(1)在基底表面进行钯金属镀膜，得到基底/钯薄膜；(2)在基底/钯薄膜的表面旋涂含硒分散液，干燥后在保护气氛中，利用等离子体辅助热退火制备得到二硒化钯薄膜。所述制备方法还包括：将步骤(2)得到的二硒化钯薄膜转移至目标基底的步骤。本发明利用钯薄膜蒸镀‑硒分子涂覆‑加热反应制备二硒化钯薄膜的方法，不但钯金属膜与硒分子膜固相反应制备方法简单直接、生长速率快，而且利用了钯薄膜前驱体的完整涂覆特点，可以得到完整的二硒化钯薄膜，可获取晶圆级二硒化钯的规模化生产。