一种用于熔体易挥发的晶体生长装置及方法

    公开(公告)号:CN118880433A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411118802.2

    申请日:2024-08-15

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于熔体易挥发的晶体生长装置及方法,包括单晶炉,所述单晶炉由外向内依次包括炉体、保温筒和坩埚,所述保温筒外围设有加热线圈,保温筒顶部设有保温盖板,所述炉体上方设有秤体,秤体通过提拉杆连接有籽晶杆,籽晶杆穿过保温盖板的下种孔伸入坩埚内,炉体内设有通气管和排气管,所述通气管的出气端和排气管的进气端位于下种孔的正上方且在籽晶杆两侧相对设置,所述排气管的出气端和炉体外部连通,通气管的进气端和供气设备连接。本发明通过定位吹排的方法,极大降低了挥发物对籽晶杆和秤体的腐蚀,同时又降低炉体内杂质的产生,极大避免了挥发物对熔体原料和晶体的破坏,改进了熔体法晶体生长环境的稳定性。

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