-
公开(公告)号：CN112670381B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011542840.2
申请日：2020-12-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种具有表面非周期光栅图案的发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u型GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、双层AlGaN结构和p型GaN层；其中：p型GaN层表面具有非周期光栅图案结构，由若干条沟槽构成，以p型GaN层正中间的沟槽为界两边对称分布，沟槽间距由中间向两端递减，减小到某个值后保持不变；双层AlGaN结构由p型AlGaN层、低温p型GaN层和p型AlGaN层组成。发光二极管表面的非周期光栅图案结构改变了发光二极管的近场和远场光分布，提高了芯片的发光强度和光线准直度。
-
公开(公告)号：CN112670381A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011542840.2
申请日：2020-12-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种具有表面非周期光栅图案的发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u型GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、双层AlGaN结构和p型GaN层；其中：p型GaN层表面具有非周期光栅图案结构，由若干条沟槽构成，以p型GaN层正中间的沟槽为界两边对称分布，沟槽间距由中间向两端递减，减小到某个值后保持不变；双层AlGaN结构由p型AlGaN层、低温p型GaN层和p型AlGaN层组成。发光二极管表面的非周期光栅图案结构改变了发光二极管的近场和远场光分布，提高了芯片的发光强度和光线准直度。
-
Search Results
2
records
(took 0.024 seconds)
