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公开(公告)号：CN111855455A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010757650.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种地聚物真实力学性能的测定方法，包含以下步骤：首先利用溶胶凝胶法合成不同硅铝比的地聚物前驱体，并利用磁控溅射方法将前驱体制备成纳米薄膜，然后再进行原位激发反应生成纳米级地聚物，最后利用原位力学测试技术测定纳米级地聚物的力学性能。本发明公开的测定方法可以测定地聚物材料本身的真实力学性能，而非包含空隙、缺陷的地聚物宏观力学性能。
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公开(公告)号：CN111847937A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010757656.3
申请日：2020-07-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种超柔性地聚物的制备方法，含以下步骤：首先将正硅酸四乙酯水解6h，并将硝酸铝、异丙醇铝和磷酸溶解在去离子水中；利用连续混液-反应-纺丝装置将上述二溶液同时缓慢滴加入恒温水浴的烧杯中，期间保持高速搅拌形成地聚物溶胶，而后利用蠕动式恒流泵将地聚物溶胶抽至静电纺丝设备进行纺丝；采用滚筒纺丝收集设备收集纳米地聚物纤维毡，将纤维毡切成等大若干块，取第一块放置在底层，第二块水平旋转α角度后叠加在第一块上，第三块水平旋转2α角度后叠加在第二块上，以此类推叠加n＝180/α层后，利用压力机压实；60℃养护3d，300℃干燥2h除去有机物，制得超柔性地聚物。
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公开(公告)号：CN109208079A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810958973.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种钙铝石型半导体材料的制备方法。该方法首先将苯系物A和钙铝石材料C12A7共同置于试管中并密封。然后，将试管置于高温炉中并升温至200～300℃，保温0.5～2小时使A挥发形成气氛。接下来，提高试管加热温度至900～1300℃，保持高温处理10～120小时即得到黑色的导电C12A7材料。本发明不需要在高真空环境下操作，制备过程简单；制备所用到的苯系物种类多、价格低廉且用量少，为导电C12A7的生产提供了多种选择途径并有效的降低了制造成本；有利于该材料的工业化生产，具有重大的应用推广价值。
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公开(公告)号：CN111855455B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202010757650.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种地聚物真实力学性能的测定方法，包含以下步骤：首先利用溶胶凝胶法合成不同硅铝比的地聚物前驱体，并利用磁控溅射方法将前驱体制备成纳米薄膜，然后再进行原位激发反应生成纳米级地聚物，最后利用原位力学测试技术测定纳米级地聚物的力学性能。本发明公开的测定方法可以测定地聚物材料本身的真实力学性能，而非包含空隙、缺陷的地聚物宏观力学性能。
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公开(公告)号：CN110983267A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911012370.6
申请日：2019-10-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种水泥水化产物自支撑纳米薄膜的制备方法，包含以下步骤：(1)制备水泥水化产物靶材；(2)制备水牺牲层薄膜；(3)采用所述步骤(1)中得到的水泥水化产物靶材对步骤(2)中得到的水牺牲层薄膜表面进行溅射镀膜，得到水泥水化产物薄膜；(4)将所述步骤(3)的水泥水化产物薄膜置于氢氧化钙饱和水溶液中浸泡，使水牺牲层薄膜水解，得到水泥水化产物自支撑纳米薄膜；其中，所述水泥水化产物为C-S-H、AFt或AFm。采用本发明的方法制备的水泥水化产物自支撑纳米薄膜均匀单一，尺寸和厚度可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110983267B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201911012370.6
申请日：2019-10-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种水泥水化产物自支撑纳米薄膜的制备方法，包含以下步骤：(1)制备水泥水化产物靶材；(2)制备水牺牲层薄膜；(3)采用所述步骤(1)中得到的水泥水化产物靶材对步骤(2)中得到的水牺牲层薄膜表面进行溅射镀膜，得到水泥水化产物薄膜；(4)将所述步骤(3)的水泥水化产物薄膜置于氢氧化钙饱和水溶液中浸泡，使水牺牲层薄膜水解，得到水泥水化产物自支撑纳米薄膜；其中，所述水泥水化产物为C‑S‑H、AFt或AFm。采用本发明的方法制备的水泥水化产物自支撑纳米薄膜均匀单一，尺寸和厚度可控。
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公开(公告)号：CN109208079B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810958973.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种钙铝石型半导体材料的制备方法。该方法首先将苯系物A和钙铝石材料C12A7共同置于试管中并密封。然后，将试管置于高温炉中并升温至200～300℃，保温0.5～2小时使A挥发形成气氛。接下来，提高试管加热温度至900～1300℃，保持高温处理10～120小时即得到黑色的导电C12A7材料。本发明不需要在高真空环境下操作，制备过程简单；制备所用到的苯系物种类多、价格低廉且用量少，为导电C12A7的生产提供了多种选择途径并有效的降低了制造成本；有利于该材料的工业化生产，具有重大的应用推广价值。
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公开(公告)号：CN111847937B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010757656.3
申请日：2020-07-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种超柔性地聚物的制备方法，含以下步骤：首先将正硅酸四乙酯水解6h，并将硝酸铝、异丙醇铝和磷酸溶解在去离子水中；利用连续混液‑反应‑纺丝装置将上述二溶液同时缓慢滴加入恒温水浴的烧杯中，期间保持高速搅拌形成地聚物溶胶，而后利用蠕动式恒流泵将地聚物溶胶抽至静电纺丝设备进行纺丝；采用滚筒纺丝收集设备收集纳米地聚物纤维毡，将纤维毡切成等大若干块，取第一块放置在底层，第二块水平旋转α角度后叠加在第一块上，第三块水平旋转2α角度后叠加在第二块上，以此类推叠加n＝180/α层后，利用压力机压实；60℃养护3d，300℃干燥2h除去有机物，制得超柔性地聚物。
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公开(公告)号：CN109487223B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811598296.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种水化硅酸钙纳米薄膜的制备方法，即是利用磁控溅射法制备水化硅酸钙(C‑S‑H)纳米薄膜的方法，首先将一定钙硅比的水化硅酸钙粉末煅烧，然后将煅烧后的粉体利用钢模压制成靶材，之后利用磁控溅射技术在衬底表面沉积一定厚度的薄膜，最后将薄膜样品放入氢氧化钙饱和水溶液中浸泡，即可得到水化硅酸钙的纳米薄膜。本发明为微观尺度上水化硅酸钙微观形貌的观测、力学性能及耐久性能等方面的研究奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109487223A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811598296.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种水化硅酸钙纳米薄膜的制备方法，即是利用磁控溅射法制备水化硅酸钙(C-S-H)纳米薄膜的方法，首先将一定钙硅比的水化硅酸钙粉末煅烧，然后将煅烧后的粉体利用钢模压制成靶材，之后利用磁控溅射技术在衬底表面沉积一定厚度的薄膜，最后将薄膜样品放入氢氧化钙饱和水溶液中浸泡，即可得到水化硅酸钙的纳米薄膜。本发明为微观尺度上水化硅酸钙微观形貌的观测、力学性能及耐久性能等方面的研究奠定了基础。
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