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公开(公告)号：CN108910939B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810883716.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种超薄CuInS2纳米片，所述纳米片为二维介晶材料，具有单层或多层结构，厚度0.65～3nm，尺寸在100～900nm；所述超薄CuInS2纳米片的制备方法，包括以下步骤：制备巯基乙胺配位的Cu+和In3+前驱体溶液；制备巯基乙胺包裹的超小CuInS2量子点；制备单层或多层超薄CuInS2纳米片，本发明提供的超薄CuInS2纳米片具有二维介晶结构，能够用于太阳能电池和光催化等领域；本发明提供的制备方法采用水相合成工艺，可大批量制备，纳米片的厚度和尺寸易于控制，具有可控性强，工艺参数容易控制，安全绿色无污染、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN108910939A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810883716.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种超薄CuInS2纳米片，所述纳米片为二维介晶材料，具有单层或多层结构，厚度0.65～3nm，尺寸在100～900nm；所述超薄CuInS2纳米片的制备方法，包括以下步骤：制备巯基乙胺配位的Cu+和In3+前驱体溶液；制备巯基乙胺包裹的超小CuInS2量子点；制备单层或多层超薄CuInS2纳米片，本发明提供的超薄CuInS2纳米片具有二维介晶结构，能够用于太阳能电池和光催化等领域；本发明提供的制备方法采用水相合成工艺，可大批量制备，纳米片的厚度和尺寸易于控制，具有可控性强，工艺参数容易控制，安全绿色无污染、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN109021970B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201810884104.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种AgInS2或CuInS2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：1)制备小分子巯基配位的Ag+和In3+或者Cu+和In3+阳离子前驱体溶液，以及硫离子的阴离子前驱体溶液；2)制备巯基小分子包裹的AgInS2或CuInS2量子点溶液。该AgInS2和CuInS2为小分子巯基包裹剂包裹，具有明显激子吸收的激子吸收和超小的尺寸和水溶热分散特征。本发明采用阴离子反相热注入法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子巯基包裹，具有明显的激子吸收，可用于太阳能电池、光催化等领域。
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公开(公告)号：CN109021970A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810884104.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: C09K11/621 , B01J27/04 , B01J35/0013 , B01J35/004 , B01J35/006 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G15/006
Abstract: 本发明公开了一种AgInS2或CuInS2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：1)制备小分子巯基配位的Ag+和In3+或者Cu+和In3+阳离子前驱体溶液，以及硫离子的阴离子前驱体溶液；2)制备巯基小分子包裹的AgInS2或CuInS2量子点溶液。该AgInS2和CuInS2为小分子巯基包裹剂包裹，具有明显激子吸收的激子吸收和超小的尺寸和水溶热分散特征。本发明采用阴离子反相热注入法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子巯基包裹，具有明显的激子吸收，可用于太阳能电池、光催化等领域。
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